[发明专利]基于RFID技术的TD-LTE单双流室分监控系统及方法

权利要求书

1.一种基于RFID技术的TD－LTE单双流室分监控系统，包括主机及终端覆盖天线；其特征在于：所述主机包括读卡器芯片、数控衰减器、发射链路、环形器、主集端口、分集端口、两级放大器、二级电子开关及接收链路；读卡器芯片的输出连接数控衰减器，数控衰减器经发射链路连接环形器的输入，环形器的输出接主集端口，主集端口通过多频合路器与TD-LTE主集信号合路进入TD-LTE主集覆盖网络，分集端口通过多频合路器与TD-LTE分集信号合路后进入TD-LTE分集覆盖网络；二级电子开关用于将环形器的隔离端连接接收链路，或者用于将分集端口通过两级放大器连接读卡器芯片的输入；终端覆盖天线包括TD-LTE主集信号覆盖天线、TD-LTE分集信号覆盖天线及集成于双极化天线之间的窄带RFID射频标签，TD-LTE主集信号覆盖天线感应接收TD-LTE主集覆盖网络传输的RFID信号，窄带RFID射频标签反射RFID信号，TD-LTE分集信号覆盖天线将反射的RFID信号传给TD-LTE分集覆盖网络。 

2.一种基于权利要求1所述监控系统的单流室分监控方法，其特征在于，包括以下步骤： 

（1）将二级电子开关切换为将环形器的隔离端连接接收链路，监控系统主机进入单流工作模式； 

（2）监控系统主机步进逐渐增加RFID信号发射功率，当查询到满足系统协议的窄带RFID射频标签时，记录监控系统主机发射功率P_RFID； 

（3）监控系统主机发射功率P_RFID到达窄带RFID射频标签的路径损耗包含以下几部分：TD-LTE主集覆盖网络的传输损耗L_main、终端覆盖天线内部TD-LTE主集信号覆盖天线（垂直极化天线）到窄带RFID射频标签之间的传出损耗L_v（天线设计完成后此参数为已知确定），综合考虑窄带RFID射频标签灵敏度S，可以得出以下结果： 

P_RFID－L_main－L_v＝S 

因此： 

通过公示L_main＝P_RFID－S－L_v，计算得到TD-LTE主集覆盖网络的传输损耗L_main，其中，S为窄带RFID射频标签灵敏度、L_v为RFID信号从TD-LTE主集信号覆盖天线到窄带RFID射频标签之间的传输损耗；进而根据监控系统主 机检测得到的TD-LTE主集下行信号强度P_main及TD-LTE主集覆盖网络的传输损耗L_main，得到TD-LTE主集信号覆盖天线端口的下行信号强度。

3.一种基于权利要求1所述监控系统的双流室分监控方法，其特征在于，包括以下步骤： 

（1）、RFID天馈线监控系统主机切换为将分集端口通过两级放大器连接读卡器芯片的输入，进入双流工作模式； 

（2）、监控系统主机通过主集室内分布覆盖网络步进逐渐增加RFID信号发射功率；通过分集室内分布覆盖网络接收窄带RFID射频标签反射回来的RFID信号；当查询到满足系统协议窄带RFID射频标签时，记录此时监控系统主机发射功率P_RFID； 

（3）、根据公式L_main＝P_RFID－S－L_v，计算得到TD-LTE主集覆盖网络的传输损耗L_main，其中，S为窄带RFID射频标签灵敏度、L_v为RFID信号从TD-LTE主集信号覆盖天线到窄带RFID射频标签之间的传输损耗；进而根据监控系统主机检测得到的TD-LTE主集下行信号强度P_main及TD-LTE主集覆盖网络的传输损耗L_main，得到TD-LTE主集信号覆盖天线端口的下行信号强度； 

同时，根据公式L_mimo＝P_RFID－L_main－L_v－L_loss－L_h－S_mimo，计算得到TD-LTE分集覆盖网络的传输损耗L_mimo，其中，L_loss为窄带RFID射频标签芯片吸收部分能量导致的信号衰减，L_h为TD-LTE分集信号覆盖天线到窄带RFID射频标签之间的传输损耗，S_mimo为分集端口的灵敏度；进而根据监控系统主机检测得到的TD-LTE分集下行信号强度P_mimo及TD-LTE分集覆盖网络的传输损耗L_mimo，得到TD-LTE分集信号覆盖天线端口的下行信号强度； 

（4）、通过比较TD-LTE主集信号覆盖天线端口的下行信号强度与TD-LTE分集信号覆盖天线端口的下行信号强度，得到终端覆盖天线功率的不平衡性。