[发明专利]用于接合应用的银合金引线有效
申请号: | 201310397219.5 | 申请日: | 2013-09-04 |
公开(公告)号: | CN103681568B | 公开(公告)日: | 2017-03-01 |
发明(设计)人: | J-S·柳;E-K·郑;Y-D·卓 | 申请(专利权)人: | 赫劳斯材料工艺有限及两合公司 |
主分类号: | H01L23/49 | 分类号: | H01L23/49;H01L21/48;C22C5/06 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所11247 | 代理人: | 贺月娇,杨晓光 |
地址: | 德国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 接合 应用 合金 引线 | ||
1.一种接合引线,包括:
具有表面的芯,
其中所述芯包含银作为主要成分并包含选自金、钯、铂、铑、钌、镍、铜和铱的至少一者,该接合引线的特征在于其具有下述特性中的至少一个:
i)所述芯的晶粒的平均尺寸为0.8μm-3μm,
ii)在所述引线的横截面中具有<001>方向的取向的晶粒的量的范围为10-20%,
iii)在所述引线的横截面中具有<111>方向的取向的晶粒的量的范围为5-15%,以及
iv)在所述引线的横截面中具有<001>方向的取向的晶粒和具有<111>方向的取向的晶粒的总量的范围为15-40%。
2.根据权利要求1所述的接合引线,其特征在于:所述芯包含银作为主要成分并包含选自金、钯和铂的至少一者。
3.根据权利要求1所述的接合引线,其特征在于:所述芯包含80–95wt.%的银、5–12wt.%的金、1.5–5wt.%的钯以及最高为0.01wt.%的不可避免的杂质。
4.根据权利要求1所述的接合引线,其特征在于:所述芯包含90-99.7wt.%的银、0.3–10wt.%的金、以及最高为0.01wt.%的不可避免的杂质。
5.根据权利要求1所述的接合引线,其特征在于:所述芯包含90-99.7wt.%的银、0.3–10wt.%的钯、以及最高为0.01wt.%的不可避免的杂质。
6.根据权利要求1所述的接合引线,其特征在于:所述芯包含80–99wt.%的银、0–10wt.%的金、1–20wt.%的钯以及最高为0.01wt.%的不可避免的杂质。
7.根据权利要求1所述的接合引线,其特征在于:所述芯的晶粒的平均尺寸为1.0μm-1.6μm。
8.根据权利要求1所述的接合引线,其特征在于:晶粒尺寸的标准偏差为0μm-0.5μm。
9.根据权利要求1所述的接合引线,其特征在于:晶粒尺寸的标准偏差为0μm-0.4μm。
10.根据权利要求1所述的接合引线,其特征在于:在最后的引线拉拔步骤之前,所述引线已经经受中间退火步骤。
11.根据权利要求10所述的接合引线,其特征在于:在经受所述中间退火步骤时芯前体具有至少0.5mm的直径。
12.根据权利要求10或11所述的接合引线,其特征在于:所述中间退火步骤包括使所述引线经受至少350℃的退火温度,持续至少5分钟的经受时间。
13.根据权利要求10-12中任一项所述的接合引线,其特征在于:所述引线在经受退火温度之后经受冷却步骤,其中所述冷却步骤的持续时间为至少5分钟。
14.根据权利要求10-13中任一项所述的接合引线,其特征在于:所述冷却步骤的持续时间为所述经受时间的持续时间的至少一半。
15.根据权利要求10-14中任一项所述的接合引线,其特征在于:所述引线的直径处于10-30μm的范围内。
16.一种微电子部件封装体,该封装体包括通过根据前述权利要求中任一项所述的接合引线而彼此连接的电子器件和衬底。
17.一种制造根据权利要求1-16中的一项所述的接合引线的方法,包括如下步骤:
a.提供引线芯前体;
b.拉拔所述前体直到达到所述引线芯的最终直径;
c.在最低退火温度下对经拉拔的引线进行最短退火时间的退火。
18.根据权利要求17所述的方法,包括如下步骤:
d.在步骤b之前对所述引线芯前体进行中间退火。
19.根据权利要求18所述的方法,其中所述最低中间退火温度是350℃,并且所述最短中间退火时间是5分钟。
20.根据权利要求18或19所述的方法,还包括如下步骤:
e.将中间退火之后的所述引线从至少中间退火温度冷却降低到不超过通常的工作温度,其中该冷却的持续时间是至少5分钟。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于赫劳斯材料工艺有限及两合公司,未经赫劳斯材料工艺有限及两合公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201310397219.5/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一次先蚀后镀金属框减法埋芯片倒装平脚结构及工艺方法
- 下一篇:功率模块封装