[发明专利]一种有机半导体化合物的单晶薄膜及其制备方法与应用有效
| 申请号： | 201310397291.8 | 申请日： | 2013-09-04 |
| 公开（公告）号： | CN103436949A | 公开（公告）日： | 2013-12-11 |
| 发明（设计）人： | 董桂芳;赵昊岩;邱勇 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | C30B7/06 | 分类号： | C30B7/06;C30B29/54;H01L51/00 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 关畅;王春霞 |
| 地址： | 100084 北京市海淀区1*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 有机半导体 化合物 薄膜 及其 制备 方法 应用 | ||
1.一种有机半导体化合物的单晶薄膜的制备方法，包括如下步骤：
腔室中装入有机半导体化合物的溶液或者将装有所述有机半导体化合物的溶液容器放入腔室中，将基片插入所述有机半导体化合物的溶液中并固定；
控制所述腔室内的真空度使所述有机半导体化合物的溶液的有机溶剂挥发，则在所述基片上形成所述有机半导体化合物的单晶薄膜。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：利用真空泵来调控所述腔室内的真空度。
3.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于：所述有机半导体化合物为具有半导体特性的n型、p型或双极性的噻吩衍生物或芳烃。
4.根据权利要求1-3中任一项所述的制备方法，其特征在于：所述有机溶剂为卤代化合物、烃类化合物、醇类化合物或脂类化合物；
所述有机溶剂在20℃和101.3kPa下的沸点为40℃～150℃，但不等于40℃或150℃。
5.根据权利要求1-4中任一项所述的制备方法，其特征在于：所述有机半导体化合物的溶液的浓度大于10-5mol/L，但不超过所述有机半导体化合物在所述有机溶剂中溶剂饱和时的浓度。
6.根据权利要求1-5中任一项所述的制备方法，其特征在于：所述基片的表面经过表面修饰、图案化处理、表面绝缘层制备或表面摩擦处理；
所述基片与所述有机半导体化合物的溶液的表面成0°～180°，但不等于0°或180°。
7.根据权利要求1-6中任一项所述的制备方法，其特征在于：所述方法还包括对挥发的有机溶剂进行回收的步骤，通过溶剂回收装置进行回收；
所述溶剂回收装置为溶剂冷凝回收装置或溶剂吸附回收装置。
8.权利要求1-7中任一项所述方法制备的有机半导体化合物的单晶薄膜。
9.权利要求8所述的有机半导体化合物的单晶薄膜在制备有机半导体器件中的应用。
10.一种有机半导体器件，其特征在于：所述有机半导体器件的有机半导体层由权利要求8所述的有机半导体化合物的单晶薄膜制成。
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