[发明专利]具有异常字线检测器的闪存系统及其异常字线检测方法

权利要求书

1.一种闪存系统，包括：

具有存储单元阵列的闪存以及被构造为控制闪存的操作的存储器控制器，其中，存储器控制器包括：

ECC电路，接收从闪存读取的第一页数据和第二页数据，并分别对第一页数据中的失败位的第一数量以及第二页数据中的失败位的第二数量进行计数；

异常字线检测器，被构造为：将失败位的第一数量与失败位的第二数量进行比较以推导第一页数据与第二页数据之间的失败位改变率，确定失败位改变率是否超过参考失败位改变率，并且响应于失败位改变率超过参考失败位改变率，来产生指示检测到异常字线的“失败信号”作为异常字线检测信号，响应于失败位改变率不超过参考失败位改变率，来产生指示未检测到异常字线的“通过信号”作为异常字线检测信号；

控制单元，响应于异常字线检测信号来控制闪存的操作。

2.如权利要求1所述的闪存系统，其中，异常字线检测器响应于由控制单元提供的使能信号而进行操作。

3.如权利要求1所述的闪存系统，其中，从连接到第一字线的第一闪存单元读取第一页数据，从连接到与第一字线不同的第二字线的第二闪存单元读取第二页数据。

4.如权利要求3所述的闪存系统，其中，第一字线和第二字线在存储单元阵列中彼此物理地相邻。

5.如权利要求1所述的闪存系统，其中，异常字线检测器还被构造为存储失败位的第一数量和失败位的第二数量。

6.如权利要求1所述的闪存系统，其中，存储单元阵列具有三维结构。

7.一种闪存系统，包括：

闪存，包括：

存储单元阵列；

截止单元计数器，使用读取电压对通过读取操作从闪存读取的第一页数据中的截止单元的第一数量进行计数，并对通过读取操作从闪存读取的第二页数据中的截止单元的第二数量进行计数；

存储器控制器，被构造为控制闪存的操作，其中，存储器控制器包括：

异常字线检测器，被构造为：将截止单元的第一数量与截止单元的第二数量进行比较以推导第一页数据与第二页数据之间的截止单元改变率，确定截止单元改变率是否超过参考截止单元改变率，并且响应于截止单元改变率超过参考截止单元改变率来产生指示检测到异常字线的“失败信号”作为异常字线检测信号，响应于截止单元改变率不超过参考截止单元改变率,来产生指示未检测到异常字线的“通过信号”作为异常字线检测信号；

控制单元，响应于异常字线检测信号来控制闪存的操作。

8.如权利要求7所述的闪存系统，其中，异常字线检测器响应于由控制单元提供的使能信号而进行操作。

9.如权利要求7所述的闪存系统，其中，从连接到第一字线的第一闪存单元读取第一页数据，从连接到与第一字线不同的第二字线的第二闪存单元读取第二页数据。

10.如权利要求9所述的闪存系统，其中，第一字线和第二字线在存储单元阵列中彼此物理地相邻。

11.如权利要求7所述的闪存系统，其中，异常字线检测器还被构造为存储截止单元的第一数量和截止单元的第二数量。

12.如权利要求7所述的闪存系统，其中，存储单元阵列具有三维结构。