[发明专利]阵列基板及其制作方法、柔性显示器件及电子设备有效
申请号: | 201310398061.3 | 申请日: | 2013-09-04 |
公开(公告)号: | CN103456743B | 公开(公告)日: | 2016-11-23 |
发明(设计)人: | 秦纬;周伟峰;程鸿飞 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L29/786;H01L21/77 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 许静;黄灿 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 阵列 及其 制作方法 柔性 显示 器件 电子设备 | ||
1.一种阵列基板,包括柔性基板和在所述柔性基板上形成的阵列层,其特征在于,所述阵列层包括:
多条栅线和多条数据线,相互交叉在所述柔性基板上形成多个子像素区;
设置于所述子像素区中的薄膜晶体管,与对应的数据线和栅线连接;
其中,所述多条数据线/栅线中包括第一信号传输线和长度大于第一信号传输线的长度的第二信号传输线,所述第二信号传输线的截面面积大于所述第一信号传输线的截面面积,使得截面面积不同的第一信号传输线与第二信号传输线之间的第一传输时延差小于截面面积相同的第一信号传输线与第二信号传输线之间的第二传输时延差。
2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,任意两条长度不同的数据线/栅线,长度较长的数据线/栅线的截面面积大于长度较短的数据线/栅线的截面面积。
3.根据权利要求1或2所述的阵列基板,其特征在于,所述第一信号传输线和第二信号传输线的截面宽度相同,第二信号传输线的截面厚度大于第一信号传输线的截面厚度。
4.根据权利要求1或2所述的阵列基板,其特征在于,所述数据线和/或栅线相对于所述柔性基板的任意一个侧边的夹角不等于90度。
5.根据权利要求4所述的阵列基板,其特征在于,所述数据线和栅线相互垂直,且所述数据线与所述柔性基板的一个侧边的夹角在30度到60度之间。
6.根据权利要求5所述的阵列基板,其特征在于,所述数据线与所述柔性基板的一个侧边的夹角为45度。
7.根据权利要求1或2所述的阵列基板,其特征在于:
按照所述数据线/栅线的排列方向,所述数据线/栅线被柔性基板的对角线分为两个部分;
按照所述数据线/栅线的排列方向,其中一部分的数据线/栅线中,在先的数据线的长度小于在后的数据线的长度,另一部分的数据线中,在先的数据线的长度大于在后的数据线的长度。
8.一种柔性显示器件,包括权利要求1-7中任意一项所述的阵列基板。
9.一种电子设备,包括权利要求8所述的柔性显示器件。
10.一种阵列基板的制作方法,其特征在于,所述制作方法包括:
形成金属薄膜层;
对所述金属薄膜层进行蚀刻处理,形成多条数据线/栅线;
其中,所述多条数据线/栅线中包括第一信号传输线和长度大于第一信号传输线的长度的第二信号传输线,所述第二信号传输线的截面面积大于所述第一信号传输线的截面面积,使得截面面积不同的第一信号传输线与第二信号传输线之间的第一传输时延差小于截面面积相同的第一信号传输线与第二信号传输线之间的第二传输时延差。
11.根据权利要求10所述的阵列基板的制作方法,其特征在于,任意两条长度不同的数据线/栅线,长度较长的数据线/栅线的截面面积大于长度较短的数据线/栅线的截面面积。
12.根据权利要求10或11所述的阵列基板的制作方法,其特征在于,所述形成金属薄膜层的步骤通过溅射工艺制作。
13.根据权利要求12所述的阵列基板的制作方法,其特征在于,所述形成金属薄膜层的步骤具体包括:
形成一磁场,在待制作的数据线/栅线的排列方向上,所述磁场的磁场强度先变大后变小;
利用被电场加速后的等离子化惰性气体撞击靶材,撞击出原子在所述磁场的作用下沉积形成所述金属薄膜层;
其中,在所述磁场的作用下沉积形成的金属薄膜层,按照待制作的数据线/栅线的排列方向,分为两个部分;
在所述数据线/栅线的排列方向上,其中一部分金属薄膜层的厚度逐渐增大,而另一部分金属薄膜层的厚度逐渐减小。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的