[发明专利]喷嘴组件和制造太阳能电池的方法有效
申请号: | 201310398155.0 | 申请日: | 2013-09-04 |
公开(公告)号: | CN104253177B | 公开(公告)日: | 2017-01-11 |
发明(设计)人: | 陈世伟 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/20 |
代理公司: | 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 | 代理人: | 章社杲,孙征 |
地址: | 暂无信息 | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 喷嘴 组件 制造 太阳能电池 方法 | ||
1.一种制造太阳能电池的方法,所述方法包括:
设置子结构,所述子结构包括接近划片器尖端的缓冲层和吸收层;
使用所述划片器尖端穿过所述子结构的所述缓冲层和所述吸收层划出P2划线;以及
当穿过所述缓冲层和吸收层划出所述P2划线时,将纳米颗粒溶液沉积在所述缓冲层的接近所述P2划线的至少一部分上,从而防止透明导电氧化物(TCO)层形成在所述缓冲层的所述至少一部分上方。
2.根据权利要求1所述的方法,其中,沉积所述纳米颗粒溶液包括:将二氧化硅纳米颗粒溶液喷洒到所述缓冲层的所述至少一部分上。
3.根据权利要求1所述的方法,还包括:从包括所述划片器的装置的基部向外延伸喷嘴,使得所述喷嘴的中心线与所述基部的表面成非垂直角。
4.根据权利要求1所述的方法,还包括:从包括所述划片器的装置的基部向外延伸喷嘴,使得所述喷嘴的中心线与所述基部的表面成垂直角。
5.根据权利要求1所述的方法,还包括:将喷嘴相对于包括所述划片器的装置的基部移动,从而改变所述喷嘴和所述划片器尖端之间的预定距离。
6.根据权利要求1所述的方法,其中,沉积所述纳米颗粒溶液包括:将纳米颗粒溶液喷洒在所述缓冲层的表面上的预定区域上。
7.根据权利要求6所述的方法,还包括:改变用于执行喷洒的喷嘴的压力,从而改变所述表面上的喷洒有所述纳米颗粒溶液的所述预定区域。
8.一种喷嘴组件,包括:
基部,被配置成接近子结构定位;
划片器,连接至所述基部,所述划片器包括尖端,所述尖端被配置成穿过所述子结构的缓冲层和吸收层划出P2划线;以及
喷嘴,连接至所述基部,从而将所述喷嘴设置为接近所述划片器的尖端,所述喷嘴被配置成当穿过所述缓冲层和吸收层划出P2线时将纳米颗粒溶液喷洒在所述缓冲层的至少一部分上,从而防止透明导电氧化物(TCO)层形成在所述缓冲层的所述至少一部分上方。
9.根据权利要求8所述的喷嘴组件,其中,所述喷嘴被配置成将二氧化硅纳米颗粒溶液喷洒在所述缓冲层的所述至少一部分上。
10.一种沉积系统,包括:
输送机,被配置成在所述沉积系统内移动子结构;以及
喷嘴组件,连接至所述输送机,所述喷嘴组件包括:
基部,被配置成接近子结构定位;
划片器,连接至所述基部,所述划片器包括被配置成穿过所述子结构的缓冲层和吸收层划出P2划线的尖端;和
喷嘴,连接至所述基部,从而将所述喷嘴设置成与所述划片器的尖端相隔预定距离,所述喷嘴被配置成当穿过所述缓冲层和吸收层划出所述P2划线时在预定压力下将纳米颗粒溶液喷洒在所述缓冲层的至少一部分上,从而防止透明导电氧化物(TCO)层形成在所述缓冲层的所述至少一部分上方。
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