[发明专利]镀镍溶液和使用其形成镍镀层的方法在审

专利信息
申请号: 201310398269.5 申请日: 2013-09-04
公开(公告)号: CN103668351A 公开(公告)日: 2014-03-26
发明(设计)人: 金美昑;南孝昇 申请(专利权)人: 三星电机株式会社
主分类号: C25D3/12 分类号: C25D3/12
代理公司: 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 代理人: 余刚;张英
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要:
搜索关键词: 溶液 使用 形成 镀层 方法
【权利要求书】:

1.一种镀镍溶液,包含:

镍离子;

氯离子;和

pH缓冲剂,

其中,通过使无机酸、和有机酸及其盐混合来使用所述pH缓冲剂。

2.根据权利要求1所述的镀镍溶液,其中,以30~100g/L的浓度包含所述pH缓冲剂,并且在所述pH缓冲剂中以20~50g/L的浓度包含所述有机酸及其盐。

3.根据权利要求1所述的镀镍溶液,其中,所述有机酸及其盐是选自由琥珀酸、葡萄糖酸、乳酸及它们的盐所组成的组中的至少一种。

4.根据权利要求1所述的镀镍溶液,其中,以50~100g/L的浓度包含所述镍离子,并且以10~50g/L的浓度包含所述氯离子。

5.根据权利要求1所述的镀镍溶液,其中,所述镀镍溶液具有4.5~6.0的pH值。

6.一种用于形成镍镀层的方法,其中,在芯片部件的外部电极上形成所述镀镍层,其中,通过使用镍电镀溶液来形成所述镍镀层,所述镍电镀溶液包含镍离子、氯离子以及混合有无机酸、和有机酸及其盐的pH缓冲剂。

7.根据权利要求6所述的方法,其中,所述芯片部件的本体由包含铁素体;或Mn、Ni、Al或Co的半导体陶瓷材料形成。

8.根据权利要求6所述的方法,其中,所述芯片部件是电感器或热敏电阻。

9.根据权利要求6所述的方法,其中,在施加DC电流条件下进行形成所述镀镍层。

10.根据权利要求6所述的方法,其中,在形成所述镀镍层时,所述镀液的镀覆温度是45~55℃。

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