[发明专利]镀镍溶液和使用其形成镍镀层的方法在审
申请号: | 201310398269.5 | 申请日: | 2013-09-04 |
公开(公告)号: | CN103668351A | 公开(公告)日: | 2014-03-26 |
发明(设计)人: | 金美昑;南孝昇 | 申请(专利权)人: | 三星电机株式会社 |
主分类号: | C25D3/12 | 分类号: | C25D3/12 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 余刚;张英 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 溶液 使用 形成 镀层 方法 | ||
1.一种镀镍溶液,包含:
镍离子;
氯离子;和
pH缓冲剂,
其中,通过使无机酸、和有机酸及其盐混合来使用所述pH缓冲剂。
2.根据权利要求1所述的镀镍溶液,其中,以30~100g/L的浓度包含所述pH缓冲剂,并且在所述pH缓冲剂中以20~50g/L的浓度包含所述有机酸及其盐。
3.根据权利要求1所述的镀镍溶液,其中,所述有机酸及其盐是选自由琥珀酸、葡萄糖酸、乳酸及它们的盐所组成的组中的至少一种。
4.根据权利要求1所述的镀镍溶液,其中,以50~100g/L的浓度包含所述镍离子,并且以10~50g/L的浓度包含所述氯离子。
5.根据权利要求1所述的镀镍溶液,其中,所述镀镍溶液具有4.5~6.0的pH值。
6.一种用于形成镍镀层的方法,其中,在芯片部件的外部电极上形成所述镀镍层,其中,通过使用镍电镀溶液来形成所述镍镀层,所述镍电镀溶液包含镍离子、氯离子以及混合有无机酸、和有机酸及其盐的pH缓冲剂。
7.根据权利要求6所述的方法,其中,所述芯片部件的本体由包含铁素体;或Mn、Ni、Al或Co的半导体陶瓷材料形成。
8.根据权利要求6所述的方法,其中,所述芯片部件是电感器或热敏电阻。
9.根据权利要求6所述的方法,其中,在施加DC电流条件下进行形成所述镀镍层。
10.根据权利要求6所述的方法,其中,在形成所述镀镍层时,所述镀液的镀覆温度是45~55℃。
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