[发明专利]一种监测光刻胶粘结层HMDS异常的方法有效
| 申请号： | 201310398681.7 | 申请日： | 2013-09-04 |
| 公开（公告）号： | CN104425301B | 公开（公告）日： | 2017-04-12 |
| 发明（设计）人： | 胡骏 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 无锡互维知识产权代理有限公司32236 | 代理人： | 王爱伟 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 监测 光刻 胶粘 hmds 异常 方法 | ||
1.一种监测光刻胶粘结层HMDS异常的方法，其特征在于：在两个硅片上分别生长氧化硅层，形成氧化硅晶圆，并测量各自厚度，将其中一个氧化硅晶圆表面涂上一层均匀的HMDS涂层，然后将设有HMDS涂层的氧化硅晶圆与另外一个未设置HMDS涂层的氧化硅晶圆一并送入湿法腐蚀机台内，采用相同的腐蚀时间T进行腐蚀，腐蚀后测量两片晶圆的厚度，并通过腐蚀前后晶圆的厚度差D/腐蚀时间T计算得出各自的腐蚀速率A1和A2，使用A1与A2之间的差值来判断HMDS涂层的厚度异常或成分异常情况，当A1-A2的差值超出额定范围后，判断HMDS涂层的厚度过厚或者过薄，或者HMDS涂层的成分异常。
2.根据权利要求1所述的监测光刻胶粘结层HMDS异常的方法，其特征在于：所述硅片表面设置的氧化硅层采用炉管热氧化的方法在硅片表面沉积形成，氧化硅层的厚度在400埃～600埃。
3.根据权利要求1所述的监测光刻胶粘结层HMDS异常的方法，其特征在于：所述湿法腐蚀过程中，腐蚀液采用掺有表面活性剂的氧化物蚀刻缓冲液BOE溶液，腐蚀时间T在40秒～80秒之间。
4.一种使用权利要求1所述的监测光刻胶粘结层HMDS异常的方法实现的高压器件栅极氧化硅制程方法，其特征在于：每天采用所述的监测光刻胶粘结层HMDS异常的方法检测一次HMDS涂层，若出现A1-A2的差值超出额定范围，表明HMDS涂层异常，停线检查，待检测出A1-A2的差值符合额定范围后，继续栅极氧化硅制程。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
