[发明专利]半导体结构的形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底，所述半导体衬底表面形成有栅极结构；

对所述栅极结构两侧的半导体衬底内进行第一轻掺杂离子注入，形成第一轻掺杂区；

对所述栅极结构两侧的半导体衬底内进行第二轻掺杂离子注入，形成第二轻掺杂区，所述第二轻掺杂区包围所述第一轻掺杂区，第二轻掺杂离子注入的剂量小于第一轻掺杂离子注入的剂量，第二轻掺杂离子注入的离子能量高于第一轻掺杂离子注入的离子能量，并且第一轻掺杂离子注入的离子类型和第二轻掺杂离子注入的离子类型相同；

在形成所述第一轻掺杂区和第二轻掺杂区之后，在所述栅极结构侧壁表面形成侧墙；在所述侧墙两侧的半导体衬底表面及侧墙表面形成多晶硅层，对所述侧墙两侧的多晶硅层和半导体衬底进行重掺杂离子注入，形成源极和漏极。

2.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一轻掺杂离子注入先于第二轻掺杂离子注入进行或者所述第二轻掺杂离子注入先于第一轻掺杂离子注入。

3.根据权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一轻掺杂离子注入的离子类型为N型离子，至少包括P、As、Sb中的一种离子。

4.根据权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一轻掺杂离子注入的离子为As，注入剂量为1E14atom/cm²～5E15atom/cm²，注入能量为3KeV～10KeV。

5.根据权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第二轻掺杂离子注入的离子类型为N型离子，至少包括P、As、Sb中的一种离子。

6.根据权利要求5所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第二轻掺杂离子注入的离子为P，注入剂量为1E13atom/cm²～5E13atom/cm²,注入能量为40KeV～70KeV。

7.根据权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一轻掺杂离子注入的离子类型为P型离子，至少包括B、Ga、In中的一种离子。

8.根据权利要求7所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一轻掺杂离子注入的离子为BF₂⁺，注入剂量为1E14atom/cm²～5E15atom/cm²，注入能量为3KeV～10KeV。

9.根据权利要求7所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第二轻掺杂离子注入的离子类型为P型离子，至少包括B、Ga、In中的一种离子。

10.根据权利要求9所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第二轻掺杂离子注入的离子为BF₂⁺，注入剂量为1E13atom/cm²～5E13atom/cm²，注入能量为40KeV～80KeV。

11.根据权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述重掺杂离子注入的离子类型与第一掺杂离子注入的离子类型、第二轻掺杂离子注入的离子类型相同。

12.根据权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，还包括：在形成所述栅极结构之前，对所述半导体衬底进行阈值调整注入，所述阈值调整注入的离子类型与第一轻掺杂离子注入的离子类型、第二轻掺杂离子注入的离子类型不同。

13.根据权利要求12所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，还包括：在形成所述第一掺杂区和第二掺杂区之后，在所述栅极结构侧壁表面形成侧墙；在所述侧墙两侧的半导体衬底表面及侧墙表面形成多晶硅层，所述多晶硅层掺杂有杂质离子，所述杂质离子的类型与第一轻掺杂离子注入的离子类型、第二轻掺杂离子注入的离子类型相同。

14.根据权利要求13所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述多晶硅层采用原位掺杂工艺形成。