[发明专利]一种无间隙雷电冲击电压发生器

权利要求书

1.一种无间隙雷电冲击电压发生器，其特征在于：包括主边和充电电源相连的供电变压器T，供电变压器T的副边的一端接地，另一端和绝缘栅双极型晶体管VT0的发射极相连，绝缘栅双极型晶体管VT0的集电极和保护电阻r串联，再连接至绝缘栅双极型晶体管VT的发射极，绝缘栅双极型晶体管VT的集电极经过放电电阻rt至充电电容C的正极，充电电容C的负极连接在绝缘栅双极型晶体管VT的发射极，所述充电电容C的正极经过波前电阻rf后连接至高压试品ZX的一端，高压试品ZX的另一端接地，其中所述绝缘栅双极型晶体管VT0的栅极G0和绝缘栅双极型晶体管VT的栅极G均连接至驱动电路。

2.根据权利要求1所述的一种无间隙雷电冲击电压发生器，其特征在于：所述充电电容C的负极连接有充电电阻R；所述绝缘栅双极型晶体管VT、放电电阻rt、充电电容C、波前电阻rf和充电电阻R相互连接构成充放电发生组，本无间隙雷电冲击电压发生器包括至少两组依次并联的充放电发生组：每组充放电发生组中绝缘栅双极型晶体管VT（1……n）的发射极均连接至前一充放电发生组的充电电阻R；每组充放电发生组中绝缘栅双极型晶体管VT（1……n）的集电极均连接至前一组充放电发生组中波前电阻rf（1……n）的末端，高压试品ZX连接在最后一组充放电发生组中波前电阻rf（1……n）的末端；每组充放电发生组中绝缘栅双极型晶体管VT（1……n）的栅极G（1……n）均连接至驱动电路。

3.根据权利要求1或2所述的一种无间隙雷电冲击电压发生器，其特征在于：所述驱动电路主要由单片机连接光电耦合回路构成，所述绝缘栅双极型晶体管VT的栅极和发射极之间设有栅极均压回路，所述绝缘栅双极型晶体管VT的集电极和发射极之间设有静态均压回路和动态均压回路。

4.根据权利要求3所述的一种无间隙雷电冲击电压发生器，其特征在于：所述栅极均压回路主要由相互串接齐纳二极管DQ和方向二级管DF构成，其中齐纳二极管DQ的负极连接至绝缘栅双极型晶体管VT的发射极，方向二级管DF的负极连接至绝缘栅双极型晶体管VT的栅极。

5.根据权利要求3所述的一种无间隙雷电冲击电压发生器，其特征在于：所述静态均压回路主要由连接在绝缘栅双极型晶体管VT的集电极和发射极之间的电阻RT构成，所述动态均压回路主要由电阻RS和二极管DS并联和串接电容CS构成，其中二极管DS的正极连接至绝缘栅双极型晶体管VT的集电极，所述电容CS的一端连接至绝缘栅双极型晶体管VT的发射极。

6.一种无间隙雷电冲击电压发生器，其特征在于：包括主边和充电电源相连接的供电变压器T，供电变压器T的副边一端接地，另一端和可控硅D0的负极相连，可控硅D0的正极串接保护电阻r，再连接至可控硅D的负极，可控硅D的正极经过放电电阻rt至充电电容C的正极，充电电容C的负极连接在可控硅D的负极，所述充电电容C的正极经过波前电阻rf后连接至高压试品ZX的一端，高压试品ZX的另一端接地，其中所述可控硅D0的栅极G0和可控硅D的栅极G均连接至驱动电路。

7.根据权利要求6所述的一种无间隙雷电冲击电压发生器，其特征在于：所述充电电容C的负极连接有充电电阻R；所述可控硅D、放电电阻rt、充电电容C、波前电阻rf和充电电阻R相互连接构成充放电发生组，本无间隙雷电冲击电压发生器包括至少两组依次并联的充放电发生组：每组充放电发生组中可控硅D（1……n）的负极均连接至前一充放电发生组的充电电阻R；每组充放电发生组中可控硅D（1……n）的正极均连接至前一组放电发生组中波前电阻rf（1……n）的末端，高压试品ZX连接在最后一组放电发生组中波前电阻rf（1……n）的末端；每组充放电发生组中可控硅D（1……n）的栅极G（1……n）均连接至驱动电路。

8.根据权利要求6或7所述的一种无间隙雷电冲击电压发生器，其特征在于：所述驱动电路主要由单片机连接光电耦合回路构成，所述可控硅D的栅极和负极之间设有栅极均压回路，所述可控硅D的正极和负极之间设有静态均压回路和动态均压回路。

9.根据权利要求8所述的一种无间隙雷电冲击电压发生器，其特征在于：所述栅极均压回路主要由相互串接齐纳二极管DQ和方向二级管DF构成，其中齐纳二极管DQ的负极连接至可控硅D的负极，方向二级管DF的负极连接至可控硅D的栅极。

10.根据权利要求8所述的一种无间隙雷电冲击电压发生器，其特征在于：所述静态均压回路主要由连接在可控硅D的正极和负极之间的电阻RT构成；所述动态均压回路主要由电阻RS和二极管DS并联和串接电容CS构成，其中二极管DS的正极连接至可控硅D的负极，所述电容CS的一端连接至可控硅D的正极。