[发明专利]集成旁路二极管的太阳电池及其制备方法

权利要求书

1.集成旁路二极管的太阳能电池，包括：

[0001] P型衬底，至少具有一个贯穿所述衬底的第一过孔；

N型扩散层，形成于所述第一过孔的侧壁并向所述P型衬底的背面延伸；

金属结构，填充所述第一过孔，其中直接接触所述N型扩散层的部分与所述N型扩散层构成肖特基旁路二极管，另一部分作为导电连接部；

光电转换部，形成于所述P型衬底之上，具有贯穿所述光电转换部的第二过孔，其与所述第一过孔对应，所述第二过孔内填充有导电材料并通过一绝缘层与所述光电转换部实现隔离；

正面电极，形成于所述光电转换部的正面上，并通过所述第一过孔和第二过孔引至所述衬底的背面。

2.如权利要求1所述的集成旁路二极管的太阳电池，其特征在于：所述P型衬底的材料为能形成N型掺杂区的半导体材料。

3.如权利要求1所述的一种集成旁路二极管的太阳电池，其特征在于：所述金属结构为多层结构，包括侧壁直接接触、与N型扩散层形成肖特基接触的金属层，以及形成于肖特基接触层金属表面的高电导率的金属层。

4.如权利要求1所述的集成旁路二极管的太阳电池，其特征在于：所述光电转换部为单结或多结的太阳电池结构，每一结子电池的结构均为上面为N型材料、下面为P型材料。

5.如权利要求1所述的集成旁路二极管的太阳电池，其特征在于：所述正面电极通过第二过孔中的导电材料与所述第一过孔中的导电连接部连接，从而引至所述衬底的背面。

6.如权利要求1所述的集成旁路二极管的太阳电池，其特征在于：所述衬底的背面设置有图形化的正电极、与所述正面电极连接的负电极以及旁路二极管的N型电极。

7.如权利要求1所述的集成旁路二极管的太阳电池，其特征在于：所述第二过孔位置与所述第一过孔的位置一致，其尺寸等于或略大于衬底上的第一过孔的尺寸。

8.集成旁路二极管的太阳电池的制备方法，包括以下步骤：

提供一P型衬底；

在所述衬底上形成至少一个贯穿的第一过孔；

在所述第一过孔的侧壁形成N型扩散层，并向所述衬底背面延伸；

在所述第一过孔中填充金属，其中直接接触所述N型扩散层的部分与所述N型扩散层构成肖特基旁路二极管，另一部分作为导电连接部；

在所述衬底上形成光电转换部；

在所述光电转换部上形成第二过孔并填充导电材料，其位置与所述P型衬底上的第一过孔相对应，导电材料通过一绝缘层与所述光电转换部实现隔离；

在所述光电转换部上形成正面电极，其通过所述第一过孔和第二过孔引至所述衬底的背面。

9.如权利要求8所述的集成旁路二极管的太阳电池的制备方法，其特征在于：还包括步骤（8）在所述衬底背面形成肖特基旁路二极管的N型电极、电池正电极以及与所述正面电极连接的电池负电极。

10.如权利要求8所述的集成旁路二极管的太阳电池的制备方法，其特征在于：所述步骤（4）中在第一过孔中填充第一层金属材料，并高温处理使其与N型扩散层形成肖特基接触。

11.如权利要求8所述的集成旁路二极管的太阳电池的制备方法，其特征在于：所述步骤（4）形成的金属结构为多层结构，包括与侧壁直接接触、与N型扩散层形成肖特基接触的金属层，以及形成于肖特基接触层金属表面的高电导率的金属层。

12.如权利要求11所述的集成旁路二极管的太阳电池的制备方法，其特征在于：所述正面电极通过第二过孔中的导电材料与所述第一过孔中的导电连接部连接，从而引至所述衬底的背面。

13.如权利要求11所述的集成旁路二极管的太阳电池的制备方法，其特征在于：所述第二过孔位置与所述第一过孔位置一致，其尺寸等于或略大于所述衬底上第一过孔内的导电连接部的尺寸。