[发明专利]基片刻蚀方法在审
| 申请号： | 201310399619.X | 申请日： | 2013-09-05 |
| 公开（公告）号： | CN104425240A | 公开（公告）日： | 2015-03-18 |
| 发明（设计）人： | 蒋中伟 | 申请（专利权）人： | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311;B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 彭瑞欣;张天舒 |
| 地址： | 100176 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 刻蚀 方法 | ||
1.一种基片刻蚀方法，其特征在于，包括以下步骤：
掩膜制作步骤，在基片的层间介质表面上形成具有预定图形的掩膜；
加热预处理步骤，加热所述基片，以使所述掩膜的沟槽侧壁倾斜；
基片刻蚀步骤，向反应腔室内通入刻蚀气体，并开启激励电源和偏压电源，以在所述层间介质上刻蚀沟槽，从而将所述掩膜的图形复制到所述层间介质上，所述刻蚀气体包括C
并且，通过调节加热时间，以获得所需的层间介质的沟槽侧壁的倾斜角度。
2.如权利要求1所述的基片刻蚀方法，其特征在于，在所述加热预处理步骤中，根据所需的层间介质的沟槽侧壁的倾斜角度，而调节加热温度。
3.如权利要求1所述的基片刻蚀方法，其特征在于，在所述加热预处理步骤中，采用烘烤、热传导或热辐射的方式加热所述基片。
4.如权利要求1或3所述的基片刻蚀方法，其特征在于，在所述加热预处理步骤中，加热温度的范围在60～130℃。
5.如权利要求1所述的基片刻蚀方法，其特征在于，所述C
6.如权利要求1或5任意一项所述的基片刻蚀方法，其特征在于，在所述基片刻蚀步骤中，向反应腔室内通入刻蚀气体的同时，还通入辅助刻蚀气体，以调节所述反应腔室内的气体分布。
7.如权利要求6所述的基片刻蚀方法，其特征在于，所述辅助刻蚀气体包括氩气或氦气。
8.如权利要求1所述的基片刻蚀方法，其特征在于，所述层间介质的材料包括二氧化硅或氮化硅。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
