[发明专利]一种含高分散性钨的介孔材料及其制备方法和应用有效
申请号: | 201310399805.3 | 申请日: | 2013-09-06 |
公开(公告)号: | CN103464141A | 公开(公告)日: | 2013-12-25 |
发明(设计)人: | 朱文帅 | 申请(专利权)人: | 江苏大学 |
主分类号: | B01J23/30 | 分类号: | B01J23/30;B01J35/04;C10G45/04 |
代理公司: | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人: | 楼高潮 |
地址: | 212013 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 分散性 材料 及其 制备 方法 应用 | ||
1.一种含高分散性钨的介孔材料,其特征在于:所述介孔材料为含高分散性钨的介孔二氧化硅材料,比表面积为414 ~ 667 m2/g,具有介孔结构,孔容为0.49 ~ 0.63 cm3/g,孔径为4.44 ~ 5.99 nm,介孔二氧化硅材料中钨含量为3% ~ 10%,且分散均匀。
2.如权利要求1所述的一种含高分散性钨的介孔材料的制备方法,其特征在于包括如下步骤:
1) 将模板剂兼钨源用乙醇溶解,加入一定量的水,搅拌均匀得到混合溶液;模板剂和水的摩尔比为:1 : 80 ~1 : 200;
2) 向混合溶液中加入硅源及氨水,共缩聚0.5 ~ 3 h,过滤取沉淀;硅源与氨水的摩尔比为:1 : 1 ~ 1 : 5;硅源与模板剂的摩尔比为:10 : 1 ~ 60 : 1;
3) 将步骤2) 所得沉淀用水洗涤至中性,干燥1 ~ 6 h;
4) 将粉体置于程序升温管式炉中升温至350 ~ 850℃,保持0.5 ~ 6 h,得到含高分散性钨的介孔二氧化硅材料。
3.如权利要求2所述的一种含高分散性钨的介孔材料的制备方法,其特征在于:步骤1)所述的模板剂兼钨源为[(n-C8H17)3NCH3]2[W2O3(O2)4],模板剂兼钨源与乙醇的质量与体积比为1 g : 20 ~ 100 mL。
4.如权利要求2所述的一种含高分散性钨的介孔材料的制备方法,其特征在于:步骤2)所述的硅源为正硅酸四乙酯。
5.如权利要求2所述的一种含高分散性钨的介孔材料的制备方法,其特征在于:步骤3)所述的干燥温度为80 ~ 140℃。
6.如权利要求2所述的一种含高分散性钨的介孔材料的制备方法,其特征在于:步骤4)所述的程序升温之前要对沉淀进行研磨,得到粉体,步骤4)所述的程序升温速率为1 ~ 10℃/ min。
7.如权利要求1所述的一种含高分散性钨的介孔材料在催化氧化脱除燃油中芳香族硫化物和脂肪族硫化物方面的应用,其特征在于:对芳香族硫化物:二苯并噻吩(DBT),苯并噻吩(BT),4,6—二甲基二苯并噻吩(4,6-DMDBT)在1小时内脱硫率分别可达到100%,83.4%和100%,对脂肪族硫化物十二硫醇(DT)在20 分钟内脱硫率即可达到99.4%,且可重复使用8次后活性无明显降低,脱硫率达99.2%。
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