[发明专利]测量导电层厚度的方法有效
| 申请号： | 201310401311.4 | 申请日： | 2013-09-05 |
| 公开（公告）号： | CN104425303B | 公开（公告）日： | 2018-10-16 |
| 发明（设计）人： | 沈哲敏;李广宁 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;G01B7/06 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 测量 导电 厚度 方法 | ||
1.一种测量导电层厚度的方法，其特征在于，包括：
使一第一探针和一第二探针扎入待测导电层中，所述第一探针和所述第二探针之间的间距为L1；
在所述第一探针和所述第二探针上施加预定电压U1；
测量流经所述第一探针和所述第二探针的电流值I1；
提供已知厚度的标准导电层的测量数据，所述标准导电层与待测导电层的材料相同，所述标准导电层的厚度为d，所述标准导电层相距为L的两点上施加预定电压U时，流经该两点的电流值为I；
待测导电层的厚度d1＝I1L1Ud/(ILU1)；所述第一探针和所述第二探针扎入待测导电层中的深度应至少使流经所述第一探针和所述第二探针的电流值I1达到最大值且保持稳定。
2.如权利要求1所述的测量导电层厚度的方法，其特征在于，所述第一探针和所述第二探针设置于探头下表面，所述第一探针和所述第二探针垂直所述探头的下表面。
3.如权利要求2所述的测量导电层厚度的方法，其特征在于，所述第一探针和所述第二探针位于同一平面内。
4.如权利要求2或3所述的测量导电层厚度的方法，其特征在于，所述第一探针为一根，所述第一探针固定于所述探头外。
5.如权利要求1所述的测量导电层厚度的方法，其特征在于，所述第一探针与所述第二探针的长度相同。
6.如权利要求2所述的测量导电层厚度的方法，其特征在于，所述第二探针为两根以上，各第二探针与第一探针之间的间距不同，所述第二探针可缩入所述探头内。
7.如权利要求6所述的测量导电层厚度的方法，其特征在于，所述第二探针为四根。
8.如权利要求7所述的测量导电层厚度的方法，其特征在于，各第二探针与所述第一探针之间的间距分别为1mm、2mm、4mm和8mm。
9.如权利要求6所述的测量导电层厚度的方法，其特征在于，测量在预定电压U1下流经各第二探针和所述第一探针的电流值，对所述电流值与间距的函数进行线性回归，得到间距为L1时，流经第二探针和所述第一探针的电流值I1。
10.如权利要求1所述的测量导电层厚度的方法，其特征在于，所述待测导电层为Cu层、Al层或Ta层。
11.如权利要求10所述的测量导电层厚度的方法，其特征在于，所述待测导电层的厚度为
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
