[发明专利]一种石英承载舟

说明书

技术领域

本发明涉及半导体生产技术领域。尤其是涉及在半导体生产中用于SIPOS沉积工艺的一种石英承载舟。

背景技术

半导体产品生产过程中的LPCVD系统中需经过SIPOS沉积的工序，其特征是在晶片表面通过特殊气体在特殊条件下沉积一层SIPOS薄膜，同时承载晶片的石英承载舟表面被沉积一层SIPOS薄膜，经过多次沉积后石英承载舟需经混合酸浸泡去除表面SIPOS薄膜，而石英承载舟经多次混酸浸泡后的使用寿命及其稳固性成为生产成本的制约因素。目前已有的SIPOS沉积石英承载舟缺点如下：其一，刻槽石英棒经过混酸多次浸泡进一步腐蚀变细；其二，左右刻槽石英棒之间没有支撑，在操作拿取过程中易断裂；其三，上下刻槽石英棒之间支撑接触面小，稳固性差，在进出炉过程中易出现断裂，造成晶片掉落报废。这是现有技术所存在的不足之处。

发明内容

本发明的目的在于克服现有技术中存在的缺点，提供便于操作、坚固、在操作拿取过程中易断裂、耐用的一种石英承载舟。采用的技术方案是：一种石英承载舟，包括有舟体及设置在舟体两端的拉环，舟体包括下刻槽石英棒及与之相连的上支撑石英棒、中支撑石英棒、下支撑石英棒、承重石英棒等组成，其特征在于：在所述舟体上设置上刻槽石英棒、在所述上刻槽石英棒、下刻槽石英棒之间设置侧支撑石英弯板。增加了舟体的稳固性，降低石英承载舟的破损几率。

本发明的技术特征还有：所述侧支撑石英弯板至少设置两个。

本发明的技术特征还有：所述侧支撑石英弯板两边对称设置。

本发明的技术特征还有：所述侧支撑石英弯板均布设置。

本发明的技术特征还有：所述上刻槽石英棒的刻槽与所述下刻槽石英棒的刻槽一一对应。

本方案的有益效果可根据对上述方案的叙述得知，一种石英承载舟，包括有舟体及设置在舟体两端的拉环，舟体包括下刻槽石英棒及与之相连的上支撑石英棒、中支撑石英棒、下支撑石英棒、承重石英棒等组成，其特征在于：在所述舟体上设置上刻槽石英棒、在所述上刻槽石英棒、下刻槽石英棒之间设置侧支撑石英弯板。本发明的有益效果是：设置了上刻槽石英棒，并在上下刻槽石英棒之间加强了支撑，增加了舟体的稳固性，避免了在进出炉过程中易出现断裂的现象，增强石英承载舟的载重能力，降低石英承载舟的破损几率，延长石英承载舟的使用寿命。本发明具有使用效果好、结构简单、成本低廉之优点。

附图说明

附图1是本发明结构示意主视图，附图2是本发明结构示意左视图，附图3是本发明结构示意仰视图， 其中1是上刻槽石英棒，2是承重石英棒，3是上支撑石英棒，4是中支撑石英棒，5是下支撑石英棒，6是石英拉环，7是侧支撑石英棒，8是侧支撑石英弯板，9是下刻槽石英棒。

具体实施方式

下面结合附图，对本发明的具体实施方式进行说明。本发明公开了一种石英承载舟，包括有舟体及设置在舟体两端的石英拉环6，舟体包括下刻槽石英棒9及与之相连的上支撑石英棒3、中支撑石英棒4、下支撑石英棒5、承重石英棒2等组成，在舟体上设置上刻槽石英棒1、在上刻槽石英棒1、下刻槽石英棒9之间设置侧支撑石英弯板8。侧支撑石英弯板8至少设置两个。侧支撑石英弯板8两边对称设置。侧支撑石英弯板8均布设置。上刻槽石英棒1的刻槽与下刻槽石英棒9的刻槽一一对应。本发明为在舟体两侧各对称均布设置三个侧支撑石英弯板8。

工作原理：晶片垂直放置于平行刻槽内，刻槽间距相等，上下刻槽石英棒间距可根据晶片直径进行调整，石英承载舟可以根据生产数量需要延长或缩短。例如：上下刻槽石英棒间距40mm可放置3英寸晶片，上下刻槽石英棒间距60mm可放置4英寸晶片，刻槽石英棒开槽120槽可放置200片晶片，刻槽石英棒开槽140槽可放置240片晶片。进出料时拉杆头部勾住石英拉环，带动SIPOS石英承载舟整体移动。

当然，上述说明并非对本发明的限制，本发明也不仅限于上述举例，本技术领域的普通技术人员在本发明的实质范围内所做出的变化、改型、添加或替换，也属于本发明的保护范围。