[发明专利]一种新型高功率半导体激光器能量传输光纤无效

专利信息
申请号: 201310401706.4 申请日: 2013-09-06
公开(公告)号: CN103513347A 公开(公告)日: 2014-01-15
发明(设计)人: 章强;刘先林 申请(专利权)人: 中国科学院苏州生物医学工程技术研究所
主分类号: G02B6/42 分类号: G02B6/42
代理公司: 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 代理人: 曹毅
地址: 215000 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 新型 功率 半导体激光器 能量 传输 光纤
【说明书】:

技术领域

发明属于高功率半导体激光器光纤传输能量的应用领域,具体涉及一种新型高功率半导体激光器能量传输光纤。

背景技术

由于半导体激光器的波长范围宽、体积小、重量轻、寿命长等优点,现在已经成为了光电子科学的核心技术,半导体激光器在激光测距、激光雷达、激光通信、激光模拟武器、激光焊接、激光切割等方面的用途越来越广泛,半导体激光器的光纤耦合技术的发展为这些应用能够顺利和完美的展开提供了基础,高功率半导体激光器发射的激光,利用光纤进行激光能量的传输优点包括:体积小,传输安全和方便,特别是通过光纤传输后光斑能量分布得到均匀化。

但是使用光纤传输高功率激光时,光纤接头对不准、端面反射及光学损伤等因素将造成激光耦合进光纤时很有可能为烧毁光纤,在用传能光纤传输高功率激光时,传能光纤入射出射端面损伤问题是限制传能光纤传输高功率激光的主要因素,所以怎么样减少和消除光纤的损伤,提高光纤对高功率激光的传输,是我们需要解决的问题。

发明内容

本发明的目的在于克服现有技术存在的问题,提供一种新型高功率半导体激光器能量传输光纤。

为实现上述技术目的,达到上述技术效果,本发明通过以下技术方案实现:

一种新型高功率半导体激光器能量传输光纤,包括光纤,所述光纤一端设置有陶瓷插芯,所述陶瓷插芯外表面被紫铜插芯包络,所述紫铜插芯通过转接件与散热套管相连,所述转接件与所述紫铜插芯通过六角螺母锁紧,在所述散热套管内侧通过螺钉固定安装一个模式剥离器,所述散热套管另一端通过连接套与光纤保护套管相连。

进一步的,所述紫铜插芯位于与所述转接件连接部的内侧。

进一步的,所述连接套位于与所述散热套管连接部的外侧。

进一步的,所述光纤保护套管连接部位于所述连接套与所述模式剥离器之间。

本发明的有益效果是:

采用本发明技术方案,有效的控制了光纤在传输高能激光时出现的光纤端面损伤和连接头烧毁情况,为高功率半导体激光器的光束传输提供了可靠、安全的传输途径。

附图说明

图1为本发明的结构示意图。

图中标号说明:1、光纤,2、陶瓷插芯,3、紫铜插芯,4、转接件,5、散热套管,6、六角螺母,7、螺钉,8、模式剥离器,9、连接套,10、光纤保护套管。

具体实施方式

下面将参考附图并结合实施例,来详细说明本发明。

参照图1所示,一种新型高功率半导体激光器能量传输光纤,包括光纤1,所述光纤1一端设置有陶瓷插芯2,所述陶瓷插芯2外表面被紫铜插芯3包络,所述紫铜插芯3通过转接件4与散热套管5相连,所述转接件4与所述紫铜插芯3通过六角螺母6锁紧,在所述散热套管5内侧通过螺钉7固定安装一个模式剥离器8,所述散热套管5另一端通过连接套9与光纤保护套管10相连。

进一步的,所述紫铜插芯3位于与所述转接件4连接部的内侧。

进一步的,所述连接套9位于与所述散热套管5连接部的外侧。

进一步的,所述光纤保护套管10连接部位于所述连接套9与所述模式剥离器8之间。

本发明的原理:

半导体激光器经过光束整形后,通过耦合透镜耦合聚焦在光纤端面,进入光纤1中,紫铜插芯3包络陶瓷插芯2的结构可以有效的反射和承受部分偏移的激光,从而避免光纤1被损伤,起到保护光纤1端面的作用;包层中的杂散光通过模式剥离器8导出,再通过散热套管5来将热量扩散到环境中,光纤保护套10用来保护光纤不受损。

以上所述仅为本发明的优选实施例而已,并不用于限制本发明,对于本领域的技术人员来说,本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。

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