[发明专利]P3MT/GE修饰玻碳电极以及在检测药物扑热息痛的应用有效

专利信息
申请号: 201310401982.0 申请日: 2013-09-06
公开(公告)号: CN103454326A 公开(公告)日: 2013-12-18
发明(设计)人: 雷武;韩振;郝青丽;夏明珠;王风云 申请(专利权)人: 南京理工大学
主分类号: G01N27/30 分类号: G01N27/30;G01N27/48;C04B41/52
代理公司: 南京理工大学专利中心 32203 代理人: 朱显国
地址: 210094 *** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: p3mt ge 修饰 电极 以及 检测 药物 扑热息痛 应用
【权利要求书】:

1.一种P3MT/GE修饰玻碳电极,其特征在于,所述电极由以下步骤制备:

(1)GE修饰电极的制备:将一定量的石墨烯用N,N-二甲基甲酰胺稀释然后超声分散,制得GE分散液;取GE分散液滴涂在抛光后的玻碳电极表面,溶剂挥发后得到覆有敏感膜的石墨烯修饰玻碳电极;

(2)聚P3MT/GE修饰的玻碳电极的制备:将纯3甲基噻吩单体滴加到含有高氯酸锂的乙腈液中,然后超声半小时,得到含有吡咯单体的混合溶;将步骤(1)制备的GE修饰玻碳电极置于混合溶液中,电位区间为0.2 ~ -1.7 V循环伏安聚合5-30圈,扫速为100 mV/s, 得到聚P3MT/GE修饰的玻碳电极。

2.根据权利要求1所述的P3MT/GE修饰玻碳电极,其特征在于,步骤(1)中制得的GE分散液浓度为0.1-1mg/mL。

3.根据权利要求1所述的P3MT/GE修饰玻碳电极,其特征在于,步骤(1)中GE分散液用量为2-10 μL。

4.根据权利要求1所述的P3MT/GE修饰玻碳电极,其特征在于,步骤(2)中纯3甲基噻吩单体的用量为10-20 μL;高氯酸锂含量为0.16g,乙腈用量为10mL。

5.一种如权利要求1所述的P3MT/GE修饰玻碳电极在检测药物扑热息痛的应用,其特征在于检测方法如下:

      将聚P3MT/GE修饰电极放置于pH值2.9-7.3的缓冲溶液中,加入一定量的扑热息痛,使用循环伏安法,扫描速度为10-100 mV/s,和差分脉冲伏安法检测修饰电极对药物扑热息痛的电化学响应。

6.根据权利要求5所述的P3MT/GE修饰玻碳电极在检测药物扑热息痛的应用,其特征在于:所述缓冲溶液为柠檬酸/磷酸氢二钠体系。

7.根据权利要求5所述的P3MT/GE修饰玻碳电极在检测药物扑热息痛的应用,其特征在于:所述扑热息痛的量为0.2-100 μmol/L。

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