[发明专利]一种快速制备壳层厚度可控的厚壁CdTe/CdS量子点的方法

权利要求书

1.一种快速制备壳层厚度可控的厚壁CdTe/CdS量子点的方法，其特征包括以下步骤：

步骤1、制备作为原料的CdTe量子点溶液：

（a）制备镉源：在超纯水中加入镉盐、镉氧化物或者镉氢氧化物，加入3-巯基丙酸，得到镉浓度为0.0005~0.1 mol/L的镉源，调节溶液的pH值在8~10之间，通入氮气；

（b）制备作为碲源的碲氢化钠（NaHTe）或碲氢化钾（KHTe）溶液：将摩尔比为1:1.5 ~1:5的硼氢化钠或硼氢化钾和碲粉置于样品瓶中，抽真空后，在氮气保护下注入超纯水，30~50℃下，超声反应40~90 min；

（c）制备CdTe量子点：在镉源溶液中加入碲源，在100℃条件下，油浴加热回流反应0.5~48 h，即得到CdTe量子点溶液；

（d）CdTe量子点的纯化：将产物溶液旋蒸浓缩，加入适量异丙醇溶液，高速离心，直至上层液体澄清无色，沉淀加适量超纯水溶解；

步骤2、制备CdTe/CdS核-壳型量子点：

（a）将CdTe溶液稀释，测试CdTe量子点溶液的紫外吸收光谱，根据公式计算生长m层CdS需要加入的前体量；

（b）配制含有配体和硫源的前体溶液：在超纯水中加入镉盐、镉氧化物或者镉氢氧化物和3-巯基丙酸（MPA），得到镉与3-巯基丙酸比例为1:1~1:4的前体溶液，调节pH值在8~10之间；

（c）制备CdTe/CdS核-壳型量子点：在原料CdTe量子点溶液中加入m层量的前体溶液，调节pH值在10~13之间，通入氮气后，在功率100~150W，温度100~170℃下，微波反应5~20 min。

2.根据权利要求1所述的一种快速制备壳层厚度可控的厚壁CdTe/CdS量子点的方法，其特征在于步骤1（a）中，镉盐和3-巯基丙酸的摩尔比为，镉盐：3-巯基丙酸=1：（1~3.7）。

3.根据权利要求1所述的一种快速制备壳层厚度可控的厚壁CdTe/CdS量子点的方法，其特征在于步骤1（c）中，镉盐与碲氢化钠或碲氢化钾的摩尔比为，镉盐：HTe^-＝1：（0.05～1）。

4.根据权利要求1所述的一种快速制备壳层厚度可控的厚壁CdTe/CdS量子点的方法，其特征在于所述的镉盐、镉氧化物或者镉氢氧化物包括：氧化镉、氢氧化镉、氯化镉、溴化镉、碘化镉、硫酸镉、硝酸镉、碳酸镉、醋酸镉、高氯酸镉、氯酸镉、溴酸镉、碘酸镉，以及它们的水合物。