[发明专利]一种窄脉宽的大功率半导体激光器驱动电路

权利要求书

1.一种窄脉宽的大功率半导体激光器驱动电路，其特征在于，该半导体激光器驱动电路包括脉冲控制电路、驱动电路、高压端、低压端、TTL信号端和接地端，其中，脉冲控制电路同时连接于驱动电路、低压端、TTL信号端和接地端，驱动电路同时连接于高压端、脉冲控制电路和接地端。

2.根据权利要求1所述的窄脉宽的大功率半导体激光器驱动电路，其特征在于，所述脉冲控制电路包含第一电阻(R1)、第一电容(C1)、第二电阻(R2)、第一二极管(PD1)和第一开关管(MOSFET-1)，其中：

第一电阻(R1)一端与TTL信号端连接，另一端与第一电容(C1)的一端连接；第一电容(C1)的另一端同时连接于第二电阻(R2)、第一二极管(PD1)和第一开关管(MOSFET-1)；

第二电阻(R2)另一端分别与接地端和第一二极管(PD1)另一端并接；

第一开关管(MOSFET-1)一端与低压端连接，一端与接地端连接，另一端与第二开关管(MOSFET-2)一端连接。

3.根据权利要求2所述的窄脉宽的大功率半导体激光器驱动电路，其特征在于，所述第一开关管(MOSFET-1)为高速场效应晶体管，通过TTL信号端和第一二极管(PD1)来控制该第一开关管(MOSFET-1)的导通和关断；通过调节第一电阻(R1)、第二电阻(R2)和第一电容(C1)来控制该半导体激光器驱动电路内部的电脉冲宽度。

4.根据权利要求3所述的窄脉宽的大功率半导体激光器驱动电路，其特征在于，所述低压端给第一开关管(MOSFET-1)供电，电压值控制在12—15V；TTL信号端为电压值3.3—5V、50％占空比的TTL脉冲信号；该半导体激光器驱动电路的频率为1Hz-50KHz，由TTL信号端控制。

5.根据权利要求1所述的窄脉宽的大功率半导体激光器驱动电路，其特征在于，所述驱动电路包括第二开关管(MOSFET-2)、第三电阻(R3)、第二电容(C2)、第二二极管(PD2)、激光器、第四电阻(R4)和第三电容(C3)，其中：

第二开关管(MOSFET-2)的一端同时连接于第三电阻(R3)和第二电容(C2)，另一端分别同时连接于接地端、第二二极管(PD2)、激光器和第三电容(C3)；第三电阻(R3)另一端与高压端连接；第二电容(C2)另一端同时连接于第二二极管(PD2)、激光器和第四电阻(R4)；第四电阻(R4)的另一端与第三电容(C3)的另一端连接。

6.根据权利要求5所述的窄脉宽的大功率半导体激光器驱动电路，其特征在于，所述第二开关管(MOSFET-2)为高速场效应晶体管，由脉冲控制电路提供的电脉冲信号控制该第二开关管(MOSFET-2)的开关；由高压端通过保护第三电阻(R3)给储能第二电容(C2)充电；通过储能第二电容(C2)放电给激光器加电产生光信号；储能第二电容(C2)的充放电时间由第二开关管(MOSFET-2)控制；第二二极管(PD2)为反向二极管，对激光器进行保护；第四电阻(R4)和第三电容(C3)用以吸收脉冲信号下降沿后的信号振荡，获得更好的脉冲波形。

7.根据权利要求6所述的窄脉宽的大功率半导体激光器驱动电路，其特征在于，所述高压端给激光器供电，其电压值与储能第二电容(C2)和第二开关管(MOSFET-2)的耐压值相匹配。

8.根据权利要求7所述的窄脉宽的大功率半导体激光器驱动电路，其特征在于，所述电压值为1-200V。