[发明专利]隔离式电源转换器的回授电路及控制方法无效
申请号: | 201310403712.3 | 申请日: | 2009-08-13 |
公开(公告)号: | CN103595224A | 公开(公告)日: | 2014-02-19 |
发明(设计)人: | 戴良彬;林梓诚;范振炫 | 申请(专利权)人: | 立锜科技股份有限公司 |
主分类号: | H02M1/08 | 分类号: | H02M1/08;H02M3/335 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 王宝筠 |
地址: | 中国台湾新*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 隔离 电源 转换器 电路 控制 方法 | ||
1.一种隔离式电源转换器的回授电路,所述隔离式电源转换器包含一控制器切换一功率开关以将输入电压转换为输出电压,其特征在于所述回授电路包括:
光耦合器,耦接所述隔离式电源转换器的输出端,放大一第一电流产生一第二电流,所述第一电流与所述输出电压相关;
电流电压转换电路,连接所述光耦合器,根据所述第二电流产生第一电压;
相反极性调节器,连接所述光耦合器,用以在轻载期间使所述第一电流随所述输出电压上升而下降;
电压源,提供第二电压;以及
启动电路,耦接所述电流电压转换电路及电压源,由所述第一及第二电压中选取其中之一作为一回授信号给所述控制器;
其中,当选择该第二电压作为该回授信号时,该第一电压与该第二电压之间以及该第一电压与该控制器之间皆为断开状态。
2.如权利要求1所述的回授电路,其特征在于,所述电流电压转换器包括一电阻因应所述第二电流产生所述第一电压。
3.如权利要求1所述的回授电路,其特征在于,所述相反极性调节器包括:
BJT晶体管,具有一集极耦接所述隔离式电源转换器的输出端、一射极耦接所述光耦合器的输入端以及一基极耦接所述隔离式电源转换器的输出端;以及
齐纳二极管,连接在所述BJT晶体管的基极及射极之间,用以限制所述BJT晶体管基极上的最大电压。
4.如权利要求1所述的回授电路,其特征在于,所述相反极性调节器包括:
PMOS晶体管,连接在所述隔离式电源转换器的输出端及所述光耦合器的输入端之间;以及
运算放大器,连接所述PMOS晶体管的闸极,在所述输出电压增加时,控制所述PMOS晶体管的通道厚度减少。
5.一种隔离式电源转换器轻载的控制方法,所述隔离式电源转换器包含一控制器切换一功率开关以将输入电压转换为输出电压,其特征在于所述控制方法包括下列步骤:
(A)通过光耦合器放大一与所述输出电压相关的第一电流产生一第二电流;
(B)控制所述第一电流在轻载期间随所述输出电压上升而下降;
(C)根据所述第二电流产生第一电压;
(D)提供一第二电压;以及
(E)由所述第一及第二电压中选取其中之一作为回授信号给所述控制器;
其中,当选择该第二电压作为该回授信号时,该第一电压与该第二电压之间以及该第一电压与该控制器之间皆为断开状态。
6.如权利要求5所述的控制方法,其特征在于,所述步骤B包括:
利用BJT晶体管控制所述第一电流的大小;以及
限制所述BJT晶体管基极的电压的最大值,以使所述第一电流在轻载期间随所述输出电压的上升而减少。
7.如权利要求5所述的控制方法,其特征在于,所述步骤B包括:
利用PMOS晶体管控制所述第一电流的大小;以及
在轻载期间,随着所述输出电压上升而减少所述PMOS晶体管的通道厚度。
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