[发明专利]一次性可编程存储单元

权利要求书

1.一种可编程存储单元，包括：

基板，包括原生掺杂注入区；

厚氧化物隔离件晶体管，设置在所述原生掺杂注入区内的所述基板上；

可编程薄氧化物抗熔丝，设置在与所述厚氧化物隔离件晶体管的第一侧相邻的所述基板上并位于所述基板的所述原生掺杂注入区内；以及

第一厚氧化物存取晶体管和第二厚氧化物存取晶体管，设置在所述基板上，所述第一厚氧化物存取晶体管设置在所述厚氧化物隔离件晶体管的第二侧与所述第二厚氧化物存取晶体管之间。

2.根据权利要求1所述的可编程存储单元，其中，所述第一厚氧化物晶体管和所述第二厚氧化物晶体管设置在所述原生掺杂注入区外的所述基板上。

3.根据权利要求2所述的可编程存储单元，其中，所述第一厚氧化物晶体管和所述第二厚氧化物晶体管设置在所述基板的已受过标准阈值电压注入处理的区域上。

4.根据权利要求1所述的可编程存储单元，其中，所述基板的除所述原生掺杂注入区之外的区域已受过标准阈值电压注入处理。

5.根据权利要求1所述的可编程存储单元，其中，所述第一厚氧化物存取晶体管的漏极区用作所述厚氧化物隔离件晶体管的源极区。

6.根据权利要求5所述的可编程存储单元，其中，所述第一厚氧化物存取晶体管的源极区用作所述第二厚氧化物存取晶体管的漏极区。

7.根据权利要求5所述的可编程存储单元，其中，所述原生掺杂注入区的边缘形成在所述第一厚氧化物存取晶体管的漏极区中。

8.根据权利要求1所述的可编程存储单元，其中，所述厚氧化物隔离件晶体管的栅极和所述抗熔丝并联耦接至第一输入端。

9.一种可编程存储单元，包括：

可编程薄氧化物抗熔丝，具有第一端和第二端；

厚氧化物隔离件晶体管，连接至所述可编程薄氧化物抗熔丝的所述第一端和所述第二端；

第一厚氧化物存取晶体管，经由第一扩散区连接至所述厚氧化物隔离件晶体管；以及

第二厚氧化物存取晶体管，经由第二扩散区连接至所述第一厚氧化物存取晶体管，

其中，所述可编程薄氧化物抗熔丝和所述厚氧化物隔离件晶体管具有与所述第一厚氧化物存取晶体管和所述第二厚氧化物存取晶体管不同的掺杂浓度。

10.一种可编程存储单元，包括：

可编程薄氧化物抗熔丝，连接至厚氧化物隔离件晶体管，所述可编程薄氧化物抗熔丝包括具有第一厚度的第一氧化层；

第一厚氧化物存取晶体管，连接至所述厚氧化物隔离件晶体管；以及

第二厚氧化物存取晶体管，连接至所述第一厚氧化物存取晶体管，

其中，所述厚氧化物隔离件晶体管、所述第一厚氧化物存取晶体管和所述第二厚氧化物存取晶体管各自包括具有大于所述第一厚度的第二厚度的第二氧化层，

其中，所述可编程薄氧化物抗熔丝和所述厚氧化物隔离件晶体管被原生掺杂，并且所述第一厚氧化物存取晶体管和所述第二厚氧化物存取晶体管被掺杂从而具有标准阈值电压特性。