[发明专利]一种高电子迁移率晶体管

权利要求书

1.一种高电子迁移率晶体管，包括衬底、衬底以上依次生长的成核层、沟道层、势垒层，以及势垒层上的源极、栅极、漏极、源极与栅极之间及栅极与漏极之间的钝化层；其特征在于，栅极与钝化层之间还设有高热导率材料层，高热导率材料层与势垒层接触。

2.按权利要求1所述一种高电子迁移率晶体管，其特征在于所述衬底采用碳化硅材料，成核层为氮化铝材料，沟道层为氮化镓材料，势垒层为铝镓氮材料；源极、栅极、漏极、源极与栅极之间及栅极与漏极之间的钝化层分别位于势垒层上，其中钝化层为氮化硅材料。

3.按权利要求1所述一种高电子迁移率晶体管，其特征在于所述的高热导率材料层是金刚石晶体、氮化铝、氧化铍、正立方氮化硼或是上述多种高热导率材料的多重薄层。

4.按权利要求1所述一种高电子迁移率晶体管，其特征在于所述源极和漏极与势垒层形成欧姆接触，栅极与势垒层形成肖特基接触。

5.按权利要求1所述一种高电子迁移率晶体管，其特征在于所述的高热导率材料层与钝化层接触面可以是垂直面、斜面或阶梯状表面。