[发明专利]一种PSOI横向高压功率半导体器件有效
| 申请号： | 201310406464.8 | 申请日： | 2013-09-09 |
| 公开（公告）号： | CN103515428A | 公开（公告）日： | 2014-01-15 |
| 发明（设计）人： | 乔明;李燕妃;许琬;胡利志;吴文杰;蔡林希;陈涛;张波 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06 |
| 代理公司： | 成都宏顺专利代理事务所(普通合伙) 51227 | 代理人： | 李顺德;王睿 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 psoi 横向 高压 功率 半导体器件 | ||
1.一种PSOI横向高压功率半导体器件，其元胞结构包括第一导电类型半导体衬底（1）、埋氧化层（2）、第一导电类型半导体体区（31）、第二导电类型半导体缓冲层（41）、第一导电类型半导体第一重掺杂区（32）、第二导电类型半导体第一重掺杂区（42）、第二导电类型半导体第二重掺杂区（43）、层间介质（51）、栅氧化层(52)、源极金属(61）、漏极金属(62)和多晶硅栅电极(63)，其特征在于，还包括第一导电类型半导体埋层(34)、第二导电类型半导体第一漂移区(44)、第二导电类型半导体第二漂移区(45)和第二导电类型半导体埋层（46）；其中，第一导电类型半导体埋层（34）、第二导电类型半导体埋层（46）和埋氧化层（2）依次连接并覆盖在第一导电类型半导体衬底（1）上表面，第一导电类型半导体体区（31）设置在第一导电类型半导体埋层（34）上表面，第一导电类型半导体第一重掺杂区（32）和第二导电类型半导体第一重掺杂区（42）分别独立设置在第一导电类型半导体体区（31）中，第二导电类型半导体第一漂移区（44）设置在第二导电类型半导体埋层（46）上表面，第二导电类型半导体第二漂移区（45）设置和在第二导电类型半导体缓冲层（41）设置在埋氧化层（2）的上表面，第一导电类型半导体体区（31）、第二导电类型半导体第一漂移区（44）、第二导电类型半导体第二漂移区（45）和第二导电类型半导体缓冲层（41）依次连接，第二导电类型半导体第二重掺杂区（43）设置在第二导电类型半导体缓冲层（41）中，源极金属(61）设置在第一导电类型半导体第一重掺杂区（32）和部分第二导电类型半导体第一重掺杂区（42）的上表面，漏极金属(62)设置在部分第二导电类型半导体第二重掺杂区（43）的上表面，栅氧化层(52)设置在部分第二导电类型半导体第一重掺杂区（42）和第一导电类型半导体体区（31）的上表面，多晶硅栅电极(63)设置在栅氧化层(52)的上表面，层间介质（51）填充在源极金属(61）、漏极金属(62)之间将源极金属(61）、漏极金属(62)和多晶硅栅电极(63)相互隔离。
2.根据权利要求1所述的一种PSOI横向高压功率半导体器件，其特征在于，所述第二导电类型半导体第二重掺杂区（43）用第一导电类型半导体第二重掺杂区（33）代替。
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