[发明专利]一种促进紫锥菊再生芽生长的培养基及培养方法

权利要求书

1.一种促进紫锥菊再生芽生长的培养基及培养方法，其特征在于，该紫锥菊再生芽生长培养基是在MS配方中除了添加15～60 g/L蔗糖、3～9 g/L琼脂和0.01～0.2 mg/L NAA之外，还特别地添加了己酸二乙氨基乙醇酯，即DA-6。

2.根据权利要求1所述培养基及培养方法，其特征在于，所述紫锥菊再生芽为二倍体、三倍体、四倍体或六倍体紫锥菊来源的再生芽。

3.根据权利要求2所述培养基及培养方法，其特征在于，所述二倍体、三倍体、四倍体或六倍体紫锥菊来源的再生芽生长所需的培养基中添加的DA-6的量为0.08～0.16 mg/L。

4.根据权利要求3所述培养基及培养方法，其特征在于，所述二倍体、三倍体、四倍体或六倍体紫锥菊来源的再生芽生长所需的培养基中添加的DA-6的量为0.08或0.16 mg/L。

5.根据权利要求4所述培养基及培养方法，其特征在于，所述六倍体紫锥菊来源的再生芽生长所需的培养基中添加的DA-6的量为0.08 mg/L；所述二倍体、三倍体或四倍体紫锥菊来源的再生芽生长所需的培养基中添加的DA-6的量为0.16 mg/L。

6.一种促进紫锥菊再生芽生长的培养基及培养方法，其特征在于，根据权利要1或2所述二倍体、三倍体、四倍体或六倍体紫锥菊来源的再生芽接种在适合各自生长的培养基中，在培养温度为25±4 ℃，光照强度为1000～2500 lx，光照时间为10～16 h/d的条件下培养10～60 d。