[发明专利]半导体器件的制造方法有效
| 申请号： | 201310407727.7 | 申请日： | 2013-09-09 |
| 公开（公告）号： | CN104425382B | 公开（公告）日： | 2017-11-14 |
| 发明（设计）人： | 李凤莲;倪景华 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238;H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237 | 代理人： | 屈蘅,李时云 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
1.一种半导体器件制作方法，包括：
提供衬底，在衬底上形成栅极；
在栅极两侧形成侧墙；
进行SPT工艺，减薄所述侧墙，暴露出部分衬底；
在暴露的衬底部分形成保护层；
在所述衬底上形成应力膜；
在所述应力膜上形成层间介质层；
刻蚀所述层间介质层和应力膜形成通孔，所述通孔至少暴露出部分所述保护层，所述保护层避免其下方的衬底受到刻蚀损伤。
2.如权利要求1所述的半导体器件制作方法，其特征在于，所述保护层的厚度为
3.如权利要求1所述的半导体器件制作方法，其特征在于，利用电化学的方式形成所述保护层。
4.如权利要求3所述的半导体器件制作方法，其特征在于，所述保护层为通过氧化还原反应形成CoWP或CoMoP金属层。
5.如权利要求1所述的半导体器件制作方法，其特征在于，利用化学方式形成所述保护层。
6.如权利要求5所述的半导体器件制作方法，其特征在于，所述保护层为通过热化学反应形成金属硅化物层。
7.如权利要求6所述的半导体器件制作方法，其特征在于，所述金属硅化物层材质为SiCo、SiW、SiTi或SiNi。
8.如权利要求1所述的半导体器件制作方法，其特征在于，形成侧墙的步骤具体包括：
在栅极两侧形成第一侧墙并通过离子注入形成轻掺杂区；
在栅极两侧形成第二侧墙并通过离子注入形成源/漏区；
在栅极和源/漏区域形成金属硅化物。
9.如权利要求1所述的半导体器件制作方法，其特征在于，利用MOCVD工艺沉积所述层间介质层。
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- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
