[发明专利]低温下制备具有高度(001)择优取向的钌酸锶薄膜的方法

权利要求书

1.一种低温下制备具有高度(001)择优取向的SrRuO₃薄膜的方法，其特征在于，以硅片为衬底，引入LaNiO₃缓冲层后采用SrRuO₃靶材在400～600℃的温度范围内溅射获得所述具有高度(001)择优取向的SrRuO₃薄膜。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法包括：

利用直流溅射的方式沉积LaNiO₃缓冲层：将洗净的硅衬底放入溅射仪中，抽真空至10^-4Pa以下；保持所述硅衬底的温度在300～450℃；通入氧气与氩气作为溅射气体，控制氧分压为15～25%，并使溅射气体的总气压保持在2.5～3.5Pa，采用LaNiO₃靶材利用直流溅射的方式沉积LaNiO₃薄膜，其中溅射功率为70～90W，溅射时间为10～20分钟；以及

采用射频磁控溅射的方式沉积SrRuO₃薄膜：将上述沉积有LaNiO₃缓冲层的硅衬底升温至400～600℃，控制溅射气体的总气压为5～20Pa，且氧分压为20～50%，采用SrRuO₃靶材利用射频磁控溅射的方式沉积SrRuO₃薄膜，其中溅射功率为60～90W。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述SrRuO₃靶材通过如下方法制备：以SrCO₃和RuO₂为原料，混合研磨后压制成块体，然后在1400～1600℃高温下烧结10～15小时，制成SrRuO₃靶材，SrCO₃和RuO₂的摩尔比为1：1。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述原料的纯度为99.0%以上。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的方法，其特征在于，在采用射频磁控溅射的方式沉积SrRuO₃薄膜中，溅射时间为30～150分钟。

6.根据权利要求1～5中任一项所述的方法，其特征在于，在采用射频磁控溅射的方式沉积SrRuO₃薄膜中，所述硅衬底的温度为400～500℃。