[发明专利]电容器阴极箔结构及其制造方法

权利要求书

1.一种电容器阴极箔结构之制造方法，包括以下之步骤：

提供一基箔，并将该基箔置入一反应腔室；

进行一加热程序，将该基箔加热到400℃至1000℃间之一温度；

将碳前驱物通入该反应腔室；以及

进行一冷却程序，将该基箔冷却低于100℃之一温度，以沉积一石墨烯层于该基箔之表面，并且该石墨烯层系由复数层石墨烯薄膜相互堆栈所构成。

2.如权利要求1所述的电容器阴极箔结构之制造方法，其特征在于：其中该进行加热程序的步骤中，该基箔系在无氧、保护气氛或还原气氛下加热到400℃至1000℃间之一温度。

3.如权利要求1所述的电容器阴极箔结构之制造方法，其特征在于：其中该进行加热程序的步骤中，该基箔被加热到介于450℃至660℃间之一温度，且加热时间介于1至100小时之范围内。

4.如权利要求1所述的电容器阴极箔结构之制造方法，其特征在于：其中该将碳前驱物通入反应腔室的步骤中，该碳前驱物包含C_xH_y，其中1≦x≦10，2≦y≦20，该碳前驱物之质量流率介于500 sccm至2000 sccm之间，且该碳前驱物通入该反应腔室的时间5至10分钟之范围内。

5.如权利要求1所述的电容器阴极箔结构之制造方法，其特征在于：其中该进行冷却程序的步骤中，该基箔被冷却到介于15℃至25℃间之一温度，该石墨烯层所包含之石墨烯薄膜的总层数为1至1000层。

6.如权利要求4所述的电容器阴极箔结构之制造方法，其特征在于：其中该石墨烯层的厚度介于10 nm至1 mm之间，且每一石墨烯薄膜的内径介于10 nm至1                                                m之间。

7.如权利要求1所述的电容器阴极箔结构之制造方法，其特征在于：其中在将一抗氧化层沉积于石墨烯层上的步骤之后，更包括进行一快速高温处理程序，将该基箔加热到高于1200℃之一温度并持温达数毫秒。

8.一种电容器阴极箔结构之制造方法，包括以下之步骤：

将一基箔置入一真空反应腔室，该真空反应腔室包括一阳极及一阴极；

将一惰性气体导入该真空反应腔室，并将反应性气体导入该真空反应腔室；以及

于该阳极与该阴极之间产生辉光放电(Glow discharge)，用以堆积一石墨烯层于该基箔之表面，并且该石墨烯层系由复数层石墨烯薄膜相互堆栈所构成。

9.如权利要求8所述的电容器阴极箔结构之制造方法，其特征在于：其中该惰性气体为氩气，该反应性气体包含甲烷、氮气及氧气。

10.一种电容器阴极箔结构，包括：

    一基箔；以及一石墨烯层，系形成于该基箔之表面，并且该石墨烯层系由复数层石墨烯薄膜相互堆栈所构成。

11.如权利要求10所述的电容器阴极箔结构，其特征在于：其中该石墨烯层所包含之石墨烯薄膜的总层数为1至1000层，且每一石墨烯薄膜的内径介于10 nm至1 m之间。