[发明专利]一种带隙基准电压电路

说明书

技术领域

本发明涉一种带隙基准电压电路。

背景技术

所谓基准电压是指与电源和工艺无关、具有确定温度特性的直流电压。在集成电路中，基准电压的设计是不可缺少的重要部分，并且在CMOS技术中基准产生的设计，被广泛公认的还是“带隙”基准电压。为给芯片提供精确的判断标准或偏置电压，与电源、工艺和温度无关的基准电压在许多设计中必不可少。要产生零温度系数的电压，需要将一个正温度系数和负温度系数的电压以适当的比例相加。在半导体工艺的各种不同器件参数中，由于双极晶体管的特性具有最好的重复性，从而常利用双极晶体管的基极-发射极电压V_BE作为负温度系数的电压，它的温度特性为：

∂VBE∂T=VBE-2.5VT-EgqT...(1)]]>

其中，Eg/q为硅的带隙电压。在V_BE=750mV，T=300⁰K时，

如果两个双极晶体管工作在不相等的电流密度下，那么它们的基极-发射极电压的差值就与绝对温度成正比。假设有两个相同的晶体管流过不同的电流，其中一个流过的电流为nI₀，它的压降为V_BE1；另一个流过的电流为I₀，它的压降为V_BE2，则有：

ΔVBE=VBE1-VBE2=VT1nnI0Is-VT1nI0Is=VT1nn=kTq1nn...(2)]]>