[发明专利]一种CMOS图像传感器及其制造方法

权利要求书

1.一种CMOS图像传感器，其特征在于，所述CMOS图像传感器包括：

半导体基底，所述半导体基底的材料为半导体材料；

感光单元，所述感光单元间隔设置在所述半导体基底内，并分别用于感测红（R）、绿（G）、蓝（B）三色光；

晶体管，所述晶体管进一步包括源极、漏极、栅极，所述源极、漏极设置在所述半导体基底内，所述栅极设置在所述半导体基底之上表面，且所述晶体管与所述感光单元电连接；

介质层，所述介质层设置在所述半导体基底和所述晶体管之栅极的表面，并进一步在所述介质层内形成所述互连层，所述互连层与所述晶体管电连接；

光学通路，所述光学通路设置在所述感光单元上方，并具有与所述介质层至少相同的深度；

平坦化层，所述平坦化层设置在所述介质层之异于所述感光单元一侧的表面；

侧壁，所述侧壁间隔设置在所述平坦化层上，且所述侧壁之邻近所述平坦化层的下边侧之宽度大于所述侧壁之远离所述平坦化层的上边侧之宽度；

彩色滤光片，所述彩色滤光片设置在所述平坦化层之异于所述介质层一侧，并进一步包括间隔设置在所述侧壁之间的子像素区域，所述子像素区域之红（R）、绿（G）、蓝（B）三原色光便通过所述光学通路分别与所述感光单元之红（R）、绿（G）、蓝（B）感光单元对应设置；以及，

微透镜，所述微透镜对应设置在所述彩色滤光片之子像素区域上。

2.如权利要求1所述的CMOS图像传感器，其特征在于，所述半导体基底为单晶硅、单晶锗，或者绝缘体上硅（SOI）的其中之一。

3.如权利要求1所述的CMOS图像传感器，其特征在于，所述侧壁为二氧化硅侧壁或者氮化硅侧壁的其中之一。

4.如权利要求3所述的CMOS图像传感器，其特征在于，所述侧壁为二氧化硅侧壁。

5.一种如权利要求1所述的CMOS图像传感器的制造方法，其特征在于，所述CMOS图像传感器的制造方法，包括：

执行步骤S1：提供半导体基底，并在所述半导体基底上形成感光单元、晶体管，所述感光单元与所述晶体管电连接；

执行步骤S2：在所述半导体基底和所述晶体管之栅极表面形成所述介质层，并在所述介质层内形成所述互连层，且所述互连层与所述晶体管电连接；

执行步骤S3：在所述介质层内设置光学通路，且所述光学通路设置在所述感光单元上方，并具有与所述介质层至少相同的深度；

执行步骤S4：在所述介质层之异于所述感光单元一侧的表面设置所述平坦化层；

执行步骤S5：在所述平坦化层之异于所述介质层一侧设置所述侧壁；

执行步骤S6：在所述平坦化层之异于所述介质层一侧设置彩色滤光片，所述彩色滤光片并进一步包括间隔设置在所述侧壁之间的子像素区域；

执行步骤S7：在所述彩色滤光片之子像素区域上对应设置微透镜。

6.如权利要求5所述的CMOS图像传感器，其特征在于，所述侧壁的形成方法进一步包括：

执行步骤S51：在所述平坦化层上进行氮化硅钝化层沉积；

执行步骤S52：在所述氮化硅钝化层上进行所述二氧化硅层沉积；

执行步骤S53：在所述二氧化硅层上进行抗反射涂层沉积；

执行步骤S54：利用侧壁掩膜定义侧壁图形；

执行步骤S55：干刻形成所述侧壁；

执行步骤S56：进行光阻剥离；

执行步骤S57：进行氮化硅钝化层刻蚀。