[发明专利]硅料清洗方法无效
申请号: | 201310408998.4 | 申请日: | 2013-09-10 |
公开(公告)号: | CN103464413A | 公开(公告)日: | 2013-12-25 |
发明(设计)人: | 刘耀峰;潘振东 | 申请(专利权)人: | 无锡荣能半导体材料有限公司 |
主分类号: | B08B3/08 | 分类号: | B08B3/08;B08B3/12;B08B3/10 |
代理公司: | 北京中恒高博知识产权代理有限公司 11249 | 代理人: | 高玉滨 |
地址: | 214183 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 清洗 方法 | ||
1.一种硅料清洗方法,包括以下步骤:
⑴、配制浓度为5~11%的氢氧化钠溶液,加热至50~90℃;
⑵、将需要清洗的硅料置于步骤⑴氢氧化钠溶液中2~3分钟,捞出硅料;
⑶、依次用浓度为20~30%的盐酸溶液和纯水冲洗硅料。
2.如权利要求1所述硅料清洗方法,其特征在于:步骤⑵中,加热氢氧化钠溶液至温度为70~100℃。
3.如权利要求1所述硅料清洗方法,其特征在于:步骤⑶中纯水冲洗时,同时超声波进行处理。
4.如权利要求1所述硅料清洗方法,其特征在于:步骤⑴中氢氧化钠溶液浓度为8%,加热温度为70℃。
5.如权利要求1所述硅料清洗方法,其特征在于:步骤⑶中盐酸溶液浓度为25%。
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