[发明专利]液晶显示器及其移位寄存装置无效

专利信息
申请号: 201310409640.3 申请日: 2009-07-29
公开(公告)号: CN103514851A 公开(公告)日: 2014-01-15
发明(设计)人: 蔡东璋;陈怡君 申请(专利权)人: 友达光电股份有限公司
主分类号: G09G3/36 分类号: G09G3/36;G11C19/28
代理公司: 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 代理人: 梁挥;祁建国
地址: 中国台湾新竹科*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 液晶显示器 及其 移位 寄存 装置
【权利要求书】:

1.一种移位寄存装置,其特征在于,包括:

多级串接在一起的移位寄存器,其中第i级移位寄存器包括:

一预充电单元,至少具有一第一晶体管,接收第i-1级移位寄存器所输出的一第一扫描信号,并据以输出一充电信号,i为正整数;

一上拉单元,至少具有一第二晶体管,耦接该预充电单元,接收该充电信号与一第一时脉信号,并据以输出一第二扫描信号;以及

一下拉单元,至少具有一第三晶体管与一第四晶体管,耦接该预充电单元与该上拉单元,接收一第二时脉信号与第(i+1)级移位寄存器所输出的一第三扫描信号,并据以决定是否将该第二扫描信号下拉至一参考电位,

其中,该下拉单元内的该第三晶体管与该第四晶体管具有一第一通道长度,该预充电单元与该上拉单元内的所述第一晶体管与第二晶体管分别具有一第二通道长度,该第一通道长度大于该第二通道长度,且所述第一通道长度为所述第二通道长度的1.01倍至4倍,借以确保移位寄存器得以正常输出扫描信号。

2.根据权利要求1所述的移位寄存装置,其特征在于,该预充电单元内的该第一晶体管为一第一N型晶体管,

其中,该第一N型晶体管的栅极与源极耦接在一起以接收该第一扫描信号,而该第一N型晶体管的漏极则用以输出该充电信号。

3.根据权利要求2所述的移位寄存装置,其特征在于,该上拉单元内的该第二晶体管为一第二N型晶体管,

其中,该第二N型晶体管的栅极耦接该第一N型晶体管的漏极,该第二N型晶体管的源极用以接收该第一时脉信号,而该第二N型晶体管的漏极则用以输出该第二扫描信号。

4.根据权利要求3所述的移位寄存装置,其特征在于,该上拉单元内更具有一电容,其耦接在该第二N型晶体管的栅极与漏极之间。

5.根据权利要求3所述的移位寄存装置,其特征在于,该下拉单元内的该第三晶体管为一第三N型晶体管,

其中,该第三N型晶体管的栅极用以接收该第二时脉信号,该第三N型晶体管的源极耦接该第二N型晶体管的漏极,而该第三N型晶体管的漏极则耦接至该参考电位。

6.根据权利要求5所述的移位寄存装置,其特征在于,该下拉单元内的该第四晶体管为一第四N型晶体管,

其中,该第四N型晶体管的栅极用以接收该第三扫描信号,该第四N型晶体管的源极耦接该第二N型晶体管的栅极,而该第四N型晶体管的漏极则耦接至该参考电位。

7.根据权利要求6所述的移位寄存装置,其特征在于,该第一与该第二N型晶体管分别具有该第二通道长度,而该第三与该第四N型晶体管分别具有该第一通道长度。

8.根据权利要求7所述的移位寄存装置,其特征在于,该第三与该第四N型晶体管的该第一通道长度大于该第一与该第二N型晶体管的该第二通道长度,而该第三与该第四N型晶体管的该第一通道长度实质上为该第一与该第二N型晶体管的该第二通道长度的1.01倍至4倍。

9.根据权利要求1所述的移位寄存装置,其特征在于,该第一与该第二时脉信号的相位差为180度。

10.一种液晶显示器,其特征在于,包括:

一液晶显示面板,包括一基板与一移位寄存装置,该移位寄存装置直接配置在该基板上,且具有多级串接在一起的移位寄存器,其中第i级移位寄存器包括:

一预充电单元,至少具有一第一晶体管,接收第i-1级移位寄存器所输出的一第一扫描信号,并据以输出一充电信号,i为正整数;

一上拉单元,至少具有一第二晶体管,耦接该预充电单元,接收该充电信号与一第一时脉信号,并据以输出一第二扫描信号;以及

一下拉单元,至少具有一第三晶体管与一第四晶体管,耦接该预充电单元与该上拉单元,接收一第二时脉信号与第i+1级移位寄存器所输出的一第三扫描信号,并据以决定是否将该第二扫描信号下拉至一参考电位,

其中,该下拉单元内的该第三晶体管与该第四晶体管具有一第一通道长度,该预充电单元与该上拉单元内的所述第一晶体管与第二晶体管分别具有一第二通道长度,该第一通道长度大于该第二通道长度,且所述第一通道长度为所述第二通道长度的1.01倍至4倍,借以确保移位寄存器得以正常输出扫描信号;以及

一背光模块,提供该液晶显示面板所需的背光源。

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