[发明专利]叠层结构体、半导体制造装置用构件及叠层结构体的制造方法

权利要求书

1.一种叠层结构体，包括第1结构体、第2结构体以及存在于所述第1结构体和所述第2结构体之间的反应层，

所述第1结构体以氮氧化铝镁为主相，

所述第2结构体以氮化铝为主相，含有具有石榴石型晶体结构的稀土类铝复合氧化物相，

所述反应层是稀土类铝复合氧化物晶粒含量低于所述第2结构体的氮化铝层，

所述反应层的厚度在150μm以下，

所述第1结构体与所述第2结构体的线性热膨胀系数差在0.3ppm/K以下。

2.根据权利要求1所述的叠层结构体，其中，所述反应层的厚度在100μm以下。

3.根据权利要求1或2所述的叠层结构体，其中，所述第2结构体还含有具有钙钛矿型晶体结构的稀土类铝复合氧化物。

4.根据权利要求1～3的任意一项所述的叠层结构体，其中，作为所述第1结构体的主相的氮氧化铝镁相在使用CuKα线时的XRD波峰至少出现在2θ＝47～50°。

5.根据权利要求1～4的任意一项所述的叠层结构体，其中，所述第1结构体的原料组成为：氮化铝在50mol％以上、95mol％以下，氧化镁在1mol％以上、40mol％以下，氧化铝在1mol％以上、25mol％以下。

6.根据权利要求1～5的任意一项所述的叠层结构体，其中，所述第2结构体的原料组成为：氮化铝在84mol％以上、99mol％以下，氧化铝在0.5mol％以上、15mol％以下，稀土类氧化物在0.5mol％以上、10mol％以下。

7.根据权利要求1～6的任意一项所述的叠层结构体，其中，所述稀土类铝复合氧化物中含有的稀土类是Y、Dy、Ho、Er、Tm、Yb及Lu中的1种以上。

8.一种半导体制造装置用构件，具有权利要求1～7的任意一项所述的叠层结构体。

9.一种叠层结构体的制造方法，将线性热膨胀系数相差0.3ppm/K以下的第1结构体与第2结构体层叠来制造叠层结构体，

所述叠层结构体的制造方法包括如下工序：

准备第1结构体，所述第1结构体是含有氮氧化铝镁的烧结体，

将所述第2结构体的原料粉体形成在所述第1结构体上，进行热压烧成，所述第2结构体的原料粉体以氮化铝为主相，具有石榴石型晶体结构的稀土类铝复合氧化物为晶界相。

10.根据权利要求9所述的叠层结构体的制造方法，其中，所述第2结构体制作工序中，所述第2结构体的原料粉体的组成为：氮化铝在84mol％以上、99mol％以下，氧化铝在0.5mol％以上、15mol％以下，稀土类氧化物在0.5mol％以上、10mol％以下的范围。

11.根据权利要求9或10所述的叠层结构体的制造方法，其中，所述稀土类包括Y、Dy、Ho、Er、Tm、Yb及Lu中的1种以上。

12.根据权利要求9～11的任意一项所述的叠层结构体的制造方法，其中，所述第2结构体制作工序中，所述第2结构体的原料组成为，稀土类氧化物的摩尔量相对于稀土类氧化物及氧化铝的摩尔总量之比在0.7以下的范围。

13.根据权利要求9～12的任意一项所述的叠层结构体的制造方法，其中，所述第2结构体制作工序中，所述热压烧成温度为超过1650℃、不足1850℃。

14.根据权利要求9～13的任意一项所述的叠层结构体的制造方法，其中，所述第1结构体的原料组成为：氮化铝在50mol％以上、95mol％以下，氧化镁在1mol％以上、40mol％以下，氧化铝在1mol％以上、25mol％以下。

15.根据权利要求9～14的任意一项所述的叠层结构体的制造方法，其中，所述第1结构体是在1850℃以上、2000℃以下的温度范围进行热压烧成的。

16.根据权利要求9～15的任意一项所述的叠层结构体的制造方法，包括将成为氮氧化铝镁的所述第1结构体的原料粉体成形、热压烧成的第1结构体制作工序。