[发明专利]一种反熔丝结构有效
| 申请号： | 201310410836.4 | 申请日： | 2013-09-10 |
| 公开（公告）号： | CN104425448B | 公开（公告）日： | 2019-04-09 |
| 发明（设计）人： | 甘正浩;冯军宏 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/525 | 分类号： | H01L23/525 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 反熔丝 结构 | ||
1.一种反熔丝结构，包括：
NMOS晶体管，所述NMOS晶体管中边缘处的沟道长度大于中心处的沟道长度；
编程晶体管，所述NMOS晶体管中的源区与所述编程晶体管相连，所述NMOS晶体管中的漏区与编程电源相连；
所述NMOS晶体管包括整体呈哑铃状的栅极结构，以使所述反熔丝结构得到一致的熔断状态。
2.根据权利要求1所述的反熔丝结构，其特征在于，所述NMOS晶体管的栅极和体区浮置。
3.根据权利要求1所述的反熔丝结构，其特征在于，所述NMOS晶体管的栅极和源区连接到所述编程晶体管，所述NMOS晶体管的体区浮置。
4.根据权利要求1所述的反熔丝结构，其特征在于，所述NMOS晶体管的栅极、源区和体区连接到所述编程晶体管。
5.根据权利要求1所述的反熔丝结构，其特征在于，所述NMOS晶体管包括：
半导体衬底；
栅极结构，位于所述半导体衬底上，所述栅极结构两端下方的沟道的长度大于中间的沟道的长度；
源区和漏区位于所述栅极结构的两侧，所述源区与编程晶体管相连，所述漏区与编程电源相连，以使所述反熔丝结构得到一致的熔断状态。
6.根据权利要求5所述的反熔丝结构，其特征在于，所述栅极结构的两端的关键尺寸大于中间的关键尺寸。
7.根据权利要求5所述的反熔丝结构，其特征在于，所述反熔丝结构还包括仅位于所述漏区内侧的LDD掺杂区。
8.根据权利要求5所述的反熔丝结构，其特征在于，所述反熔丝结构还包括位于所述源区内侧的LDD掺杂区以及位于所述漏区内侧的LDD掺杂区。
9.根据权利要求5所述的反熔丝结构，其特征在于，所述半导体衬底为P型半导体衬底。
10.根据权利要求9所述的反熔丝结构，其特征在于，所述P型半导体衬底中形成有P阱，所述反熔丝结构设置于所述P阱上。
11.根据权利要求9所述的反熔丝结构，其特征在于，所述源区和所述漏区均为N型掺杂。
12.根据权利要求10所述的反熔丝结构，其特征在于，所述反熔丝结构还包括P型掺杂区，所述P型掺杂区位于所述P阱中。
13.根据权利要求12所述的反熔丝结构，其特征在于，所述P型掺杂区与所述编程晶体管相连。
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