[发明专利]低功率快速稳定电压基准电路有效
申请号: | 201310412151.3 | 申请日: | 2013-09-11 |
公开(公告)号: | CN103677044A | 公开(公告)日: | 2014-03-26 |
发明(设计)人: | 张俊谋 | 申请(专利权)人: | NXP股份有限公司 |
主分类号: | G05F1/56 | 分类号: | G05F1/56 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 杨静 |
地址: | 荷兰艾*** | 国省代码: | 荷兰;NL |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 功率 快速 稳定 电压 基准 电路 | ||
1.一种电压基准电路,包括:
启动电路,配置用于产生启动电流,并且响应于所述启动电流和电流阈值之间的比较而被关断;
放大器,连接至所述启动电路,并且配置用于响应于所述启动电流利用正电流反馈回路产生放大的电流;以及
绝对温度成比例PTAT电流发生器,配置用于响应于所述启动电流和所述放大的电流产生与温度无关的基准电压。
2.根据权利要求1所述的电压基准电路,其中所述放大器包括运算放大器,所述运算放大器包括:
连接至所述启动电路的差分输入级;以及
连接至所述差分输入级的输出级,其中所述差分输入级和所述输出级形成正电流反馈回路,其中流经所述差分输入级的电流尖峰造成了电流超过所述尖峰的进一步增加。
3.根据权利要求2所述的电压基准电路,其中所述输出级包括二极管连接的晶体管,以及其中所述二极管连接的晶体管的漏极端连接至所述二极管连接的晶体管的栅极端。
4.根据权利要求3所述的电压基准电路,其中所述二极管连接的晶体管的栅极端连接至所述PTAT电流发生器的多个晶体管的栅极端以及所述差分输入级的晶体管的栅极端。
5.根据权利要求4所述的电压基准电路,其中流经所述差分输入级的电流是所述差分输入级的晶体管的偏置电流。
6.根据权利要求4所述的电压基准电路,其中所述PTAT电流发生器还包括连接至所述PTAT电流发生器的多个晶体管的多个双极型器件。
7.根据权利要求3所述的电压基准电路,其中所述二极管连接的晶体管的漏极端直接连接至所述二极管连接的晶体管的栅极端。
8.根据权利要求2所述的电压基准电路,其中所述差分输入级包括晶体管的差分输入对,以及其中所述晶体管的差分输入对的漏极电流与所述晶体管的差分输入对的栅极-源极电压差呈指数关系。
9.根据权利要求1所述的电压基准电路,其中所述启动电路包括:
电流源,配置用于当没有电流流经所述电压基准时产生源电流;
电流比较器,配置用于响应于所述源电流产生所述启动电流;以及
连接至所述电流比较器的开关,其中所述电流比较器还配置用于响应于所述启动电流和所述电流阈值之间的比较来关断所述开关。
10.根据权利要求9所述的电压基准电路,其中所述电流比较器包括触发晶体管,所述触发晶体管的栅极端连接至所述开关、所述PTAT电流发生器的多个晶体管的栅极端以及所述放大器的多个晶体管的栅极端。
11.根据权利要求10所述的电压基准电路,其中所述开关包括晶体管,所述晶体管的栅极端连接至所述电流比较器的触发晶体管的源极端或者漏极端。
12.根据权利要求9所述的电压基准电路,其中所述电流源包括第一组串联连接的晶体管,其中所述电流比较器包括第二组串联连接的晶体管,以及其中所述开关包括开关式晶体管。
13.根据权利要求12所述的电压基准电路,其中所述第二组晶体管包括触发晶体管和连接至所述触发晶体管的漏极端或者源极端以及所述开关式晶体管的栅极端的至少一个晶体管,其中所述触发晶体管的栅极端连接至所述开关式晶体管的漏极端或者源极端、所述PTAT电流发生器的多个晶体管的栅极端以及所述放大器的多个晶体管的栅极端。
14.根据权利要求1所述的电压基准电路,其中所述电压基准电路是带隙电路。
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