[发明专利]一种多孔C/C为内衬的轻质防氧化材料结构的制备方法有效
| 申请号： | 201310412158.5 | 申请日： | 2013-09-11 |
| 公开（公告）号： | CN103722785A | 公开（公告）日： | 2014-04-16 |
| 发明（设计）人： | 陈照峰;余盛杰 | 申请（专利权）人： | 太仓派欧技术咨询服务有限公司 |
| 主分类号： | B32B1/08 | 分类号： | B32B1/08;B32B18/00;C04B35/83;C04B35/565;C04B35/80;C04B35/622 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 215400 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 多孔 内衬 轻质防 氧化 材料 结构 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种多孔C/C为内衬的轻质防氧化材料结构的制备方法，其特征在于包括以下顺序的制备步骤：
(1)以石墨作为内衬，在其表面缠绕或编织C纤维形成预制件；
(2)以甲烷或天然气作为碳的气源，氢气或氩气作为稀释气体和载气，将上述C纤维预制件放入沉积炉中沉积热解C基体，升温速率为8～10℃/min，沉积温度为950～1500℃，沉积时间为100～300h；
(3)除去石墨芯，得到多孔C/C预制体，并对多孔体进行超声波振荡清洗2～4次，然后在80～120℃烘箱中烘2～4h，直到质量不再变化；
(4)在预制体表面缠绕碳布或C预浸布，沉积一薄层热解C界面；
(5)采用CVI法制备SiC基体，以三氯甲基硅烷作为SiC的气源，以氢气或氩气作为稀释气体和载气，进行碳气相渗透碳化硅，CVI温度为1000～1300℃，时间为100～300h；
(6)最后CVD制备SiC涂层，以三氯甲基硅烷作为SiC的气源，以氢气或氩气作为稀释气体和载气，进行碳化硅沉积，沉积温度为1000～1300℃，沉积时间为30～45h。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于太仓派欧技术咨询服务有限公司，未经太仓派欧技术咨询服务有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201310412158.5/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
