[发明专利]一种SiC/ZrC叠层分布的陶瓷基复合材料的制备方法无效
| 申请号： | 201310412160.2 | 申请日： | 2013-09-11 |
| 公开（公告）号： | CN103738012A | 公开（公告）日： | 2014-04-23 |
| 发明（设计）人： | 陈照峰;余盛杰 | 申请（专利权）人： | 太仓派欧技术咨询服务有限公司 |
| 主分类号： | B32B18/00 | 分类号： | B32B18/00;C04B35/83;C04B35/56;C04B35/565;C04B35/622 |
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| 地址： | 215400 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 sic zrc 分布 陶瓷 复合材料 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种SiC／ZrC叠层分布的陶瓷基复合材料的制备方法，其特征在于包括以下顺序的制备步骤：
(1)采用平纹编织的碳布叠层制备二维碳纤维预制体；
(2)采用CVI在碳纤维预制体上沉积热解C，经高温石墨化处理制成多孔C／C预制体；
(3)将烘干好的多孔C／C预制体放入石墨坩埚中；
(4)把Si放在多孔C／C预制体的上表面；
(5)将石墨坩埚放入管式炉中加热，管式炉升温速率为8～10℃／min，加热到1400～1600℃，保温1～3h后随炉冷却，Si熔体依靠毛细管力浸渗到多孔体中反应形成SiC，炉内真空度为8～12Pa；
(6)从冷却后的坩埚中取出渗Si后的C／C-SiC复合材料，在其渗Si的上表面沉积热解C，并高温石墨化处理为多孔C层基体；
(7)将上表面有多孔C层的C／C-SiC复合材料放入坩埚中，把Zr放在多孔C层上；
(8)再次将石墨坩埚放入管式炉中加热，管式炉升温速率为8～10℃／min，加热到1900～2100℃，保温0.5～1.5h后随炉冷却，炉内真空度为8～12Pa，Zr熔体依靠毛细管力浸渗到多孔C层中反应形成ZrC，至此获得SiC／ZrC叠层分布的陶瓷基复合材料。
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