[发明专利]形成互连结构的方法

权利要求书

1.一种形成用于半导体器件的互连结构的方法，该方法包括：

(a)沉积第一电介质层(56)；

(b)使得第一电介质层形成图案以在第一电介质层中形成通孔(62)；

(c)用填充材料(64)填充所述通孔，所述填充材料可相对于第一电介质层的材料选择性地被蚀刻；

(d)在第一电介质层上沉积第二电介质层(66)，所述第一电介质层可相对于所述填充材料选择性地被蚀刻；

(e)使得第二电介质层形成图案以在第二电介质层中形成限定了由所述互连结构提供的互连部分的沟槽(72)；

(f)从所述通孔中去除由所述沟槽暴露出的填充材料；以及

(g)沉积导电材料(76)以填充所述沟槽(72)和所述通孔(62)。

2.如权利要求1所述的方法，其中，所述填充材料(64)是有机材料，所述有机材料的分解温度高于执行沉积步骤(d)的温度。

3.如权利要求2所述的方法，其中，形成图案的步骤(e)包括沉积由有机材料形成的光致抗蚀剂层(68)并使其形成图案，并且在与蚀刻步骤(f)中去除填充材料(64)相同的蚀刻处理中蚀刻掉形成图案的光致抗蚀剂层。

4.如权利要求1或2所述的方法，其中，通过对填充材料(64)进行分解来在步骤(f)中去除填充材料(64)。

5.如权利要求2至4任一项所述的方法，其中，填充材料(64)是孔生材料。

6.如前述任一权利要求所述的方法，其中，在步骤(c)中用填充材料(64)填充通孔(62)以限定大致平整的上表面，而无需进一步的平坦化处理。

7.如前述任一权利要求所述的方法，其中，第一电介质层(56)和第二电介质层(66)由具有低于3的介电常数的低k电介质材料形成。

8.如前述任一权利要求所述的方法，其中，在步骤(a)中，在现有的互连结构(50)上沉积第一电介质层(56)，并且在现有的互连结构的导电材料上提供自对准扩散阻挡层(52)。

9.如前述任一权利要求所述的方法，其中，在步骤(a)中，在现有的互连结构(50)上沉积第一电介质层(56)，并且在现有的互连结构的导电材料上提供扩散阻挡层(52，54)，该方法在通孔形成步骤(b)之后和填充步骤(c)之前包括步骤：蚀刻掉由通孔(62)暴露出的扩散阻挡层的区域。

10.如权利要求1至8任一项所述的方法，其中，在步骤(a)中，在现有的互连结构(50)上沉积第一电介质层(56)，并且在现有的互连结构的导电材料上提供扩散阻挡层(52，54)，该方法在填充材料蚀刻步骤(f)之后包括步骤：蚀刻掉由通孔(62)暴露出的扩散阻挡层的区域。