[发明专利]有机发光显示装置有效
申请号: | 201310412355.7 | 申请日: | 2013-09-11 |
公开(公告)号: | CN103681760A | 公开(公告)日: | 2014-03-26 |
发明(设计)人: | 金信韩;金禾景;崔晎硕;曹贵正;甘润锡;韩美荣;吴惠玟;金怠植;田成秀;宋致燏 | 申请(专利权)人: | 乐金显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 吕俊刚;刘久亮 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 发光 显示装置 | ||
1.一种有机发光显示装置,所述有机发光显示装置包括:
形成在基板上同时彼此相对的第一电极和第二电极;以及
顺序地堆叠在所述第一电极和所述第二电极之间的空穴注入层、空穴传输层、至少两个发光层和电子传输层,
其中,所述至少两个发光层分别包括不同的基质,同时分别掺杂有不同剂量的相同掺杂剂。
2.根据权利要求1所述的有机发光显示装置,其中,所述至少两个发光层包括:
第一发光层,所述第一发光层包括第一基质,同时掺杂有黄色磷光-绿色磷光掺杂剂;以及
第二发光层,所述第二发光层包括与所述第一基质不同的第二基质,同时按照与所述第一发光层不同的剂量掺杂有与所述第一发光层相同的黄色磷光-绿色磷光掺杂剂。
3.根据权利要求2所述的有机发光显示装置,其中,所述第一基质具有低于或等于所述空穴传输层的最高占有分子轨道HOMO能级的第一HOMO能级,并且所述第一HOMO能级与所述空穴传输层的所述HOMO能级具有-0.05到-0.5eV的差异。
4.根据权利要求2所述的有机发光显示装置,其中,所述第一HOMO能级为-6.0到-5.0eV,并且所述第一基质具有-2.5到-2.3eV的第一最低未占有分子轨道(LUMO)能级,同时具有5.0×10-5到1.0×10-5cm2/Vs的空穴迁移率。
5.根据权利要求2所述的有机发光显示装置,其中,基于所述第一发光层的体积,所述第一发光层的所述黄色磷光-绿色磷光掺杂剂以1%到10%的剂量被掺杂在所述第一发光层中。
6.根据权利要求2所述的有机发光显示装置,其中,所述第二发光层具有高于或等于所述电子传输层的最低未占有分子轨道LUMO能级的第二LUMO能级,并且所述第二LUMO能级与所述电子传输层的所述LUMO能级具有-0.05到-0.5eV的差异。
7.根据权利要求2所述的有机发光显示装置,其中,所述第二发光层具有-6.5到-5.0eV的第二最高占有分子轨道HOMO能级以及-3.0到-2.0eV的第二最低未占有分子轨道LUMO能级,并且所述第二基质具有9.0×10-5到1.0×10-3cm2/Vs的电子迁移率。
8.根据权利要求2所述的有机发光显示装置,其中,基于所述第二发光层的体积,所述第二发光层的所述黄色磷光-绿色磷光掺杂剂以10%到20%的剂量被掺杂在所述第二发光层中。
9.根据权利要求2所述的有机发光显示装置,其中,所述第一基质和所述第二基质中的每一个均具有2.0到3.0eV的三重态能级。
10.根据权利要求2所述的有机发光显示装置,其中,从所述第一发光层至达到所述第二电极的位置的厚度通过下面的表达式1来表示:
[表达式1]
其中,“H’”表示从所述第一发光层至达到所述第二电极的所述位置的厚度,“n”表示折射率,并且“λ”表示所述掺杂剂的光致发光峰值波长。
11.根据权利要求2所述的有机发光显示装置,其中,从所述第二发光层至达到所述第二电极的位置的厚度通过下面的表达式2来表示:
[表达式2]
其中,“H”表示从所述第二发光层至达到所述第二电极的所述位置的厚度,“n”表示折射率,并且“λ”表示所述掺杂剂的光致发光峰值波长。
12.一种有机发光显示装置,所述有机发光显示装置包括:
形成在基板上同时彼此相对的第一电极和第二电极;
第一堆叠,所述第一堆叠包括顺序地堆叠在所述第一电极上的空穴注入层、第三空穴传输层、第四空穴传输层、第三发光层和第二电子传输层;
第二堆叠,所述第二堆叠包括顺序地堆叠在所述第一堆叠和所述第二电极之间的第一空穴传输层、第二空穴传输层、至少两个发光层和第一电子传输层;以及
电荷生成层,所述电荷生成层被形成在所述第一堆叠和所述第二堆叠之间,以调节在所述第一堆叠和所述第二堆叠之间的电荷平衡,
其中,所述至少两个发光层分别包括不同的基质,同时分别掺杂有不同剂量的相同的黄色磷光-绿色磷光掺杂剂。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的