[发明专利]三维半导体存储装置及其制造方法

权利要求书

1.一种三维半导体存储装置，所述三维半导体存储装置包括：

多个绝缘层，堆叠在基板上；

多个水平结构，位于所述多个绝缘层之间，所述多个水平结构分别包括栅电极；

多个竖直结构，贯穿绝缘层和水平结构，所述多个竖直结构分别包括半导体柱；以及

多个外延图案，每个外延图案位于基板和每个竖直结构之间，

其中，每个外延图案具有与栅电极中的最下方的栅电极相邻的圆形侧壁，

其中，外延图案的最小宽度小于竖直结构中的相对应的竖直结构的宽度。

2.如权利要求1所述的三维半导体存储装置，其中：

所述多个水平结构中的最下方的水平结构与外延图案接触；每个外延图案具有凹进侧壁；以及最下方的水平结构具有沿着每个外延图案的凹进侧壁的凸部。

3.如权利要求1所述的三维半导体存储装置，其中，每个外延图案具有横向凹进的侧壁。

4.如权利要求1所述的三维半导体存储装置，其中：

所述多个水平结构中的最下方的水平结构比水平结构中的其他水平结构厚；以及

外延图案的顶表面高于最下方的水平结构的顶表面。

5.如权利要求1所述的三维半导体存储装置，其中：

水平结构的厚度彼此相等；以及

外延图案与最接近于基板的至少两个竖直相邻的水平结构接触。

6.如权利要求1所述的三维半导体存储装置，其中：

每个水平结构还包括位于每个栅电极和半导体柱之间的第一阻挡绝缘层和第二阻挡绝缘层；以及

第一阻挡绝缘层和第二阻挡绝缘层均包括氧化硅层和氧化铝层中的至少一种。

7.如权利要求1所述的三维半导体存储装置，其中：

每个竖直结构还包括保护层、电荷存储层和隧道绝缘层；以及

邻近于竖直结构的水平结构与竖直结构的每个电荷存储层接触。

8.一种用于制造三维半导体存储装置的方法，所述方法包括：

形成包括交替地且重复地堆叠在基板上的绝缘层和牺牲层的成型堆叠结构；

形成贯穿成型堆叠结构的多个通孔，通孔暴露基板；

在每个通孔中形成外延层；

在每个通孔中形成竖直结构，使得竖直结构包括半导体柱；

使成型堆叠结构图案化以形成沟槽；

去除被沟槽暴露的牺牲层以形成多个凹进区域；

蚀刻被所述多个凹进区域中的最下方的凹进区域暴露的外延层以形成具有圆形侧壁的外延图案；以及

在所述多个凹进区域中分别形成水平结构，使得每个水平结构包括栅电极，

其中，至少一个水平结构与外延图案接触，

其中，外延图案的最小宽度小于竖直结构的宽度。

9.如权利要求8所述的方法，其中，形成外延层的步骤包括：

将被通孔暴露的基板用作种子来执行选择性外延生长工艺；以及

其中，外延层的顶表面比水平结构中的最下方的水平结构的顶表面高。

10.如权利要求8所述的方法，其中，形成竖直结构的步骤包括：

在每个通孔中顺序地形成保护层、电荷存储层和隧道绝缘层；以及

在每个通孔中的隧道绝缘层上形成半导体柱。

11.如权利要求10所述的方法，所述方法还包括：在形成凹进区域之后选择性地去除被凹进区域暴露的保护层，以暴露电荷存储层。

12.如权利要求11所述的方法，其中，通过相同的蚀刻工艺同时执行选择性地去除保护层的步骤和蚀刻外延层的步骤。

13.如权利要求11所述的方法，其中：

牺牲层中的接触外延层的一个牺牲层由相对于牺牲层中的其他牺牲层具有蚀刻选择性的材料形成；以及

通过相同的蚀刻工艺执行去除牺牲层的步骤、选择性地去除保护层的步骤和蚀刻外延层的步骤。

14.如权利要求8所述的方法，其中，栅电极的分别邻近于外延图案的两个凹进侧壁的部分之间的距离小于竖直结构的宽度。

15.如权利要求8所述的方法，其中：

每个竖直结构还包括电荷存储层和隧道绝缘层；以及

每个水平结构还包括阻挡绝缘层。