[发明专利]一种半导体封装件及其制造方法无效
申请号: | 201310413208.1 | 申请日: | 2013-09-11 |
公开(公告)号: | CN103441116A | 公开(公告)日: | 2013-12-11 |
发明(设计)人: | 黄源炜;徐振杰;曹周;敖利波 | 申请(专利权)人: | 杰群电子科技(东莞)有限公司 |
主分类号: | H01L23/495 | 分类号: | H01L23/495;H01L21/48 |
代理公司: | 广州三环专利代理有限公司 44202 | 代理人: | 张帅 |
地址: | 523750 广东省东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 半导体 封装 及其 制造 方法 | ||
1.一种半导体封装件,包括导线架和芯片,所述导线架具有一芯片座,所述芯片通过结合材固定在所述芯片座上,所述芯片与导线架的管脚连有焊线,一封装胶体包覆芯片于导线架上,其特征是,所述导线架外部裸露部分镀有电镀层。
2.根据权利要求1所述一种半导体封装件,其特征是,所述导线架管脚侧面镀有电镀层。
3.根据权利要求1或2所述一种半导体封装件,其特征是,所述电镀层为锡层。
4.一种半导体封装件制造方法,包括s1,将导线架平放,然后将芯片通过结合材固定在导线架的芯片座上,所述芯片与导线架的管脚连有焊线,一封装胶体包覆芯片于导线架上;其特征是,所述制造方法还包括:
s2,挖豁口:在所述导线架两侧底部挖出豁口;
s3,电镀:对s2中挖出豁口的导线架进行电镀;
s4,冲裁:在豁口处对导线架进行冲裁处理,得到导线架管脚侧面镀有电镀层的半导体封装件。
5.根据权利要求4所述一种半导体封装件制造方法,其特征是,所述s2中,使用凸模对导线架底部进行半切处理。
6.根据权利要求5所述一种半导体封装件制造方法,其特征是,所述豁口为“∧”形。
7.根据权利要求5所述一种半导体封装件制造方法,其特征是,所述豁口为“∏”形。
8.根据权利要求5所述一种半导体封装件制造方法,其特征是,所述豁口为“┐”形。
9.根据权利要求4所述一种半导体封装件制造方法,其特征是,所述s2中,当挖豁口时,所述导线架上固有凹模板,所述s4中,当冲裁时,所述导线架上也固有凹模板。
10.根据权利要求4所述一种半导体封装件制造方法,其特征是,所述电镀层为镀锡层。
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