[发明专利]一种半导体封装件及其制造方法无效

专利信息
申请号: 201310413208.1 申请日: 2013-09-11
公开(公告)号: CN103441116A 公开(公告)日: 2013-12-11
发明(设计)人: 黄源炜;徐振杰;曹周;敖利波 申请(专利权)人: 杰群电子科技(东莞)有限公司
主分类号: H01L23/495 分类号: H01L23/495;H01L21/48
代理公司: 广州三环专利代理有限公司 44202 代理人: 张帅
地址: 523750 广东省东*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 半导体 封装 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种半导体封装件,包括导线架和芯片,所述导线架具有一芯片座,所述芯片通过结合材固定在所述芯片座上,所述芯片与导线架的管脚连有焊线,一封装胶体包覆芯片于导线架上,其特征是,所述导线架外部裸露部分镀有电镀层。

2.根据权利要求1所述一种半导体封装件,其特征是,所述导线架管脚侧面镀有电镀层。

3.根据权利要求1或2所述一种半导体封装件,其特征是,所述电镀层为锡层。

4.一种半导体封装件制造方法,包括s1,将导线架平放,然后将芯片通过结合材固定在导线架的芯片座上,所述芯片与导线架的管脚连有焊线,一封装胶体包覆芯片于导线架上;其特征是,所述制造方法还包括:

s2,挖豁口:在所述导线架两侧底部挖出豁口;

s3,电镀:对s2中挖出豁口的导线架进行电镀;

s4,冲裁:在豁口处对导线架进行冲裁处理,得到导线架管脚侧面镀有电镀层的半导体封装件。

5.根据权利要求4所述一种半导体封装件制造方法,其特征是,所述s2中,使用凸模对导线架底部进行半切处理。

6.根据权利要求5所述一种半导体封装件制造方法,其特征是,所述豁口为“∧”形。

7.根据权利要求5所述一种半导体封装件制造方法,其特征是,所述豁口为“∏”形。

8.根据权利要求5所述一种半导体封装件制造方法,其特征是,所述豁口为“┐”形。

9.根据权利要求4所述一种半导体封装件制造方法,其特征是,所述s2中,当挖豁口时,所述导线架上固有凹模板,所述s4中,当冲裁时,所述导线架上也固有凹模板。

10.根据权利要求4所述一种半导体封装件制造方法,其特征是,所述电镀层为镀锡层。

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