[发明专利]一种新型光刻对准方法

说明书

本发明提出一种光刻对准方法，其特征在于：使用同轴对准光源将制作在掩模版上的对准标记曝光在基底周围的非成品芯片区域，且后续曝光场分布避开该对准标记区域，且后续曝光过程中通过识别所述对准标记进行对准。本发明可以有效实现接近接触式光刻机与投影光刻机的混用问题，节省生产成本，减少成品芯片的浪费。

技术领域

本发明涉及半导体制造装备技术领域，具体地，涉及一种用于光刻设备的新型光刻对准方法。

背景技术

在光刻过程中，对准标记的制作以及对准方式对曝光结果起着至关重要的作用。目前，接近接触式光刻机Aligner可以在曝光过程中将对准标记制作在基底的两侧，则在该区域就不能制作产品，最终浪费掉部分芯片。而投影式光刻机Stepper在曝光过程中，制作的对准标记在每个曝光场中都存在，标记存在区域同样不再制作产品，最终浪费掉部分芯片。在实际生产中，若接近接触式光刻机和投影式光刻机混用，基底上用于制作对准标记的区域将更加复杂，可能会浪费更多的芯片。

在实际生产过程当中，由于边缘处理等原因，基底周围一圈不考虑制备完整的芯片。所以，本发明利用基底周围的非成品芯片区域制作对准标记，以此减少生产过程中对芯片的浪费，并可以实现接近接触式光刻机与投影式光刻机的混用。

在投影式光刻机中的对准采用同轴对准和离轴对准两种方式，其中同轴对准用于掩模与对准基准板对准，离轴对准用于基底与对准基准板对准，最终实现掩膜版和基底的对准。其中可以将同轴对准光源的波长设定为曝光波长，然后将对准标记刻到基底上。

发明内容

本发明的目的在于解决接近接触式光刻机与投影式光刻机的混用问题，节省生产成本，解决对准标记制作导致的芯片浪费问题。

本发明提出一种光刻对准方法，其特征在于：使用同轴对准光源将制作在掩模版上的对准标记曝光在基底周围的非成品芯片区域，且后续曝光场分布避开该对准标记区域，且后续曝光过程中通过识别所述对准标记进行对准。

优选地，所述同轴对准光源与曝光光源波段一致。

优选地，所述对准标记制作在所述掩模版的非图形区域。

优选地，所述同轴对准光源将对准标记曝光在基底原始对准标记的区域内，对准标记的尺寸小于原始对准标记。

本发明可以有效实现接近接触式光刻机与投影光刻机的混用问题，节省生产成本，减少成品芯片的浪费。

附图说明

关于本发明的优点与精神可以通过以下的发明详述及所附图式得到进一步的了解。

图1为光刻机制作对准标记示意图；

图2为本发明光刻掩模版示意图；

图3为本发明制作对准标记后的基底；

图4为本发明曝光场分布图；

图5为LED芯片结构图；

图6为LED光刻工艺流程图；

图7为经过MESA光刻后的对准标记；

图8为Stepper制作的对准标记。

具体实施方式

下面结合附图详细说明本发明的具体实施例。

光刻机制作对准标记如图1所示，光刻系统通过投影物镜，将掩模版上的对准标记成像在工件台上的基底上。本发明的掩模版如图2所示，十字对准标记位于掩模版上非图形区域。在本发明的一个实施例中，经过光刻系统投影曝光后，基底上的对准标记如图3所示，对准标记位于基底上非成品芯片区域。在后续的曝光过程中，曝光场的分布如图4所示，曝光场区域避开对准标记区域。