[发明专利]一种组合薄膜的制备方法无效
申请号: | 201310413317.3 | 申请日: | 2013-09-12 |
公开(公告)号: | CN103489750A | 公开(公告)日: | 2014-01-01 |
发明(设计)人: | 金魁;袁洁;许波 | 申请(专利权)人: | 金魁 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L21/203 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 100190 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 组合 薄膜 制备 方法 | ||
1.一种利用组合激光分子束外延技术制备组合薄膜的方法,该方法包括:
提供衬底;
提供对应于组合薄膜中的各个组分的多个不同组分的前驱靶材;
依次对各个不同组分的前驱靶材进行激光轰击,从而溅射出相应的前驱组分;
提供具有掩模图案的掩模板;
利用掩模板使上述溅射出的相应的前驱组分沉积在衬底上,从而获得组合薄膜。
2.根据权利要求1所述的制备组合薄膜的方法,其中组合薄膜是二元组合薄膜,且例如是超导、铁电、介电等材料。
3.根据权利要求2所述的制备组合薄膜的方法,其中组合薄膜包含A和B两种组分,以及
其中前驱靶材为包含A和B两种组分的前驱靶材。
4.根据权利要求3所述的制备组合薄膜的方法,其中掩模板为圆环形,其上具有设置在不同位置的两个第一窗口a和第二窗口b,上述第一窗口a和第二窗口b的形状对应于衬底的形状,且第一窗口a和第二窗口b的尺寸与衬底的尺寸相同。
5.根据权利要求4所述的制备组合薄膜的方法,其中利用掩模板使上述溅射出的相应的前驱组分沉积在衬底上,从而获得组合薄膜的过程包括如下步骤:
步骤1:将前驱靶材A置于衬底对面,环形掩模板沿其轴心方向匀速地顺时针旋转,当掩模板转动至衬底完全暴露于第一窗口a时,激光开始轰击前驱靶材A以开始溅射前驱靶材A,从而在衬底上沉积A组分,之后环形掩模板继续匀速地顺时针旋转以使衬底暴露于第一窗口a的区域逐渐减小,当衬底完全不暴露于第一窗口a时,停止前驱靶材A的溅射,从而在衬底上形成A组分梯度分布;
步骤2:将前驱靶材B置于衬底对面,环形掩模板沿其轴心方向匀速地顺时针旋转,当掩模板转动至衬底将要暴露于第二窗口b时,激光开始轰击前驱靶材B以开始溅射前驱靶材B,之后环形掩模板继续匀速地顺时针旋转以使衬底逐渐暴露于第二窗口b,从而在衬底上沉积B组分,当衬底完全暴露于第二窗口b时,停止前驱靶材B的溅射,从而在衬底上形成与A组分梯度分布相反的B组分梯度分布,由此完成一个周期的溅射过程;
步骤3:重复上述步骤1—2,执行多个周期的溅射过程,且二元组合薄膜的厚度取决于所执行的周期数。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造