[发明专利]晶圆级封装方法以及晶圆有效

专利信息
申请号: 201310413714.0 申请日: 2013-09-12
公开(公告)号: CN103466541A 公开(公告)日: 2013-12-25
发明(设计)人: 王宇翔;焦继伟 申请(专利权)人: 上海矽睿科技有限公司
主分类号: B81C1/00 分类号: B81C1/00;B81B7/00
代理公司: 上海翼胜专利商标事务所(普通合伙) 31218 代理人: 孙佳胤
地址: 201815 上海市嘉*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 晶圆级 封装 方法 以及
【权利要求书】:

1.一种晶圆级封装方法,其特征在于,包括如下步骤:

提供一叠层晶圆,所述叠层晶圆包括衬底晶圆和密封帽层晶圆,以及夹在衬底晶圆和密封帽层晶圆之间的结构层,所述结构层通过粘结层粘附至衬底晶圆,所述衬底晶圆在朝向结构层的表面上设置有至少一焊盘,所述焊盘与所述结构层之间具有一间隙;

研磨减薄密封帽层晶圆至一目标厚度;

在密封帽层晶圆和结构层内形成窗口,所述窗口的位置对应于所述焊盘,从而将所述焊盘暴露出来。

2.根据权利要求1所述的晶圆级封装方法,其特征在于,所述方法还包括在所述窗口所在位置分割所述叠层晶圆的步骤。

3.根据权利要求1所述的晶圆级封装方法,其特征在于,所述研磨减薄密封帽层晶圆的步骤进一步是同时研磨减薄衬底晶圆和密封帽层晶圆。

4.根据权利要求3所述的晶圆级封装方法,其特征在于,进一步是采用双面研磨工艺同时减薄衬底晶圆和密封帽层晶圆。

5.根据权利要求1所述的晶圆级封装方法,其特征在于,在分割所述晶圆的步骤之前,进一步包括采用测试探针接触暴露出的所述焊盘,以测试结构层中的电学器件性能的步骤。

6.根据权利要求1所述的晶圆级封装方法,其特征在于,所述结构层包含有微机械器件。

7.根据权利要求6所述的晶圆级封装方法,其特征在于,所述密封帽层晶圆朝向结构层的表面具有一腔体,所述腔体用于保证结构层中的微机械器件的可动部分悬空。

8.根据权利要求1所述的晶圆级封装方法,其特征在于,所述在密封帽层晶圆和结构层内形成窗口的步骤中,进一步是利用双面对准光刻机确定窗口的形成位置,光刻所采用的对准标记与焊盘同层,并与焊盘在同一步骤中形成。

9.一种晶圆,包括衬底晶圆和密封帽层晶圆,以及夹在衬底晶圆和密封帽层晶圆之间的结构层,所述结构层通过粘结层粘附至衬底晶圆,所述衬底晶圆在朝向结构层的表面上设置有至少一焊盘,其特征在于,在密封帽层晶圆和结构层内具有一窗口,所述窗口的位置对应于所述焊盘,从而将所述焊盘暴露出来。

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