[发明专利]一种晶圆级高密度布线制备方法

权利要求书

1.一种晶圆级高密度布线制备方法，其包括以下工艺过程：

提供硅晶圆（100），所述硅晶圆（100）的表面选择性地形成电镀种子层Ⅰ（210）,并在所述电镀种子层Ⅰ（210）的表面沉积布线A（220），相邻的所述布线A（220）之间设置间距； 

于所述布线A（220）的顶部和侧壁以及电镀种子层Ⅰ（210）的侧壁形成介电层（230）；

相邻的所述布线A（220）之间的硅晶圆（100）的表面形成电镀种子层Ⅱ（310），并于所述电镀种子层Ⅱ（310）的表面沉积布线B（330）。

2.如权利要求1所述的一种晶圆级高密度布线制备方法，其特征在于，所述介电层（230）通过喷涂或旋涂的方法形成于硅晶圆（100）的表面和布线A（220）的外围。

3.如权利要求2所述的一种晶圆级高密度布线制备方法，其特征在于，相邻布线A（220）之间的硅晶圆（100）表面的所述介电层（230）通过光刻或干法刻蚀的方法去除。

4.如权利要求3所述的一种晶圆级高密度布线制备方法，其特征在于，相邻的所述布线A（220）之间的硅晶圆（100）的表面形成电镀种子层Ⅱ（310）之前还包括步骤：所述电镀种子层Ⅱ（310）通过溅射或蒸镀的方法形成于硅晶圆（100）的表面和介电层（230）的表面。

5.如权利要求4所述的一种晶圆级高密度布线制备方法，其特征在于，于电镀种子层Ⅱ（310）的表面喷涂光阻层（320）或于布线A（220）顶部的电镀种子层Ⅱ（310）的表面贴附光阻层（320）。

6.如权利要求5所述的一种晶圆级高密度布线制备方法，其特征在于，相邻的所述布线A（220）之间的光阻层（320）通过曝光显影的方法去除，并形成光阻层开口（321）。

7.如权利要求6所述的一种晶圆级高密度布线制备方法，其特征在于，于相邻的所述布线A（220）之间的光阻层开口（321）处的电镀种子层Ⅱ（310）的表面通过电镀的方法沉积布线B（330）。

8.如权利要求6所述的一种晶圆级高密度布线制备方法，其特征在于，通过相邻的所述布线A（220）之间的光阻层开口（321）于电镀种子层Ⅱ（310）的表面通过电镀的方法沉积布线B（330）。

9.如权利要求7或8所述的一种晶圆级高密度布线制备方法，其特征在于，所述布线A（220）外围无效区域的电镀种子层Ⅱ（310）通过湿法刻蚀或激光刻蚀的方法去掉。

10.如权利要求9所述的一种晶圆级高密度布线制备方法，其特征在于，所述布线A（220）外围无效区域的电镀种子层Ⅱ（310）通过湿法刻蚀或激光刻蚀的方法去掉之前包括步骤：

去除剩余的所述光阻层（320）。