[发明专利]一种LED芯片高温混酸腐蚀切割道的方法无效
| 申请号： | 201310414145.1 | 申请日： | 2013-09-12 |
| 公开（公告）号： | CN103474341A | 公开（公告）日： | 2013-12-25 |
| 发明（设计）人： | 郁彬 | 申请（专利权）人： | 昆山奥德鲁自动化技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306;H01L33/00 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 柏尚春 |
| 地址： | 江苏省苏州市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 led 芯片 高温 酸腐 切割 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种LED芯片高温混酸腐蚀切割道的方法，其特征在于包括以下步骤：
（1）将COW用丙酮，异丙醇超声清洗10min，清水冲洗5min后，旋干，并在烤箱中120℃烘烤10min；
（2）在COW表面沉积1μm的高致密SiO2做为掩膜；
（3）根据COW表面芯粒之间的切割道，用镭射在其表面进行切割，激光光斑的宽度为8μm～10μm，划深为35μm～40μm；
（4）将浓硫酸和浓磷酸混合均匀后，将混酸加热至特定温度；
（5）将镭射切割后的COW用耐酸性陶瓷提篮放置于混酸中，放置10min取出；
（6）用BOE将高温酸腐蚀后的产品表面的SiO2湿法腐蚀干净；
（7）上述成品研磨至100μm，背劈后便可以按照正常LED芯片流程作业，直至方片入库。
2.根据权利要求1所述的一种LED芯片高温混酸腐蚀切割道的方法，其特征在于：所述步骤（4）中浓硫酸和浓磷酸按1：5～1：8的体积比例进行配制。
3.根据权利要求1所述的一种LED芯片高温混酸腐蚀切割道的方法，其特征在于：所述步骤（4）中加热温度为245℃～255℃。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于昆山奥德鲁自动化技术有限公司，未经昆山奥德鲁自动化技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201310414145.1/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
