[发明专利]用于在闪存中实现二进制标志的方法在审
申请号: | 201310414170.X | 申请日: | 2013-09-12 |
公开(公告)号: | CN103680626A | 公开(公告)日: | 2014-03-26 |
发明(设计)人: | A.I.阿尔拉巴迪;K.M.贝尔茨;T.M.富里斯特 | 申请(专利权)人: | 通用汽车环球科技运作有限责任公司 |
主分类号: | G11C16/10 | 分类号: | G11C16/10;G05B19/042 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 刘桢;胡斌 |
地址: | 美国密*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 闪存 实现 二进制 标志 方法 | ||
技术领域
本发明大体上涉及用于使用ECU闪存中的存储单元段来实现二进制标志的系统和方法,并且更具体地涉及用于使用ECU的闪存中的存储单元段来实现二进制标志的系统和方法,包括将单元段中的其中一个比特从逻辑1变换至逻辑0以改变比特的奇偶性和标志的状态。
背景技术
大多数现代化车辆包括电子控制单元(ECU)或控制器,其控制诸如动力系、气候控制系统、信息娱乐系统、车身系统、底盘系统以其它的车辆系统的操作。此类控制器需要为专门用途设计的软件,以便执行控制功能。刷写是一种用于将软件、校准文件和其它应用程序上传到车辆ECU或其它可编程装置的闪存中的熟知的方法。引导装载程序是一种加载到ECU上的嵌入式软件程序,该程序在ECU和正刷写软件的编程装置之间提供接口。
通常需要在软件代码中提供指示某些操作的特定状态的二进制标志,其中该标志为可在ON状态和OFF状态之间切换的比特或一系列比特。EEPROM或EEPROM仿真的闪存是一种适合提供二进制标志的已知的非易失性存储器(NVM),其中NVM中的比特也可被写入并可单独地擦除,并且其中当NVM掉电时比特将被保持。然而,EEPROM常常作为存储器来说是不期望的,因为额外的硬件成本并且因为其常常难以在高温下操作。相似地,EEPROM仿真的闪存也不适合在引导区中使用,因为写入操作需要10-25K的空间有限的引导ROM的额外驱动器。
以上所指闪存也是一种适合提供二进制标志的非易失性存储器。闪存的优点在于它较便宜,对于某些数据占用更少的存储器空间,在较高温度下操作性能较佳,等等。然而,闪存的缺点在于,当写入到存储器时,必须在相对较大的块中进行编程,在该块中也不能单独地写入单个比特。例如,闪存需要写入4KB、8KB、16KB等的内存段中。因此,如果需要在闪存中改变标志的状态,则存储器的大部分可能需要被重写。此外,当闪存的一区段被擦除时,在该区段中的所有比特都被转换为逻辑1。因此,可能将闪存的擦除段中的其中一个比特从逻辑1写到逻辑0,但不可能将该比特独立于该段中的其它比特而单独地写回到逻辑1,而不擦除该存储器块中的所有其它比特。可以将整个存储器可写入段(例如,1KB的块)用作单个标志,然而,这不是对存储器空间的有效使用,并且通常不期望在该存储器块中提供比仅标志更多的数据。
发明内容
根据本发明的教导,公开了用于改变闪存中的二进制标志的状态的系统和方法,其中闪存包括具有比特的存储区段,其中比特能在不擦除整个存储区段的情况下仅单独地从逻辑1变为逻辑0。该方法将包括诸如8个比特的预定数量的比特的闪存区段中的单元段限定为二进制标志,其中每个比特在存储区段被擦除时被转换为逻辑1。该方法还限定,闪存单元段中的偶数个逻辑1比特为偶数奇偶性,并且闪存单元段中的奇数个逻辑1比特为奇数奇偶性,并且限定是否偶数奇偶性为二进制标志的ON状态或奇数奇偶性为二进制标志的ON状态或者是否偶数奇偶性为二进制标志的OFF状态或奇数奇偶性为二进制标志的OFF状态。该方法通过将闪存单元段中的比特中的一个从逻辑1写为逻辑0来而改变二进制标志的奇偶性,以改变标志的状态。
本发明提供下列技术方案。
1. 一种用于改变闪存中的二进制标志的状态的方法,其中所述闪存包括具有比特的存储区段,其中所述比特能在不擦除整个存储区段的情况下仅单独地从逻辑1变为逻辑0,所述方法包括:
将所述闪存区段中包括预定数量的比特的单元段限定为所述二进制标志,其中每个比特在所述存储区段被擦除时被转换为逻辑1;
限定所述闪存单元段中的偶数个逻辑1比特为偶数奇偶性,并且所述闪存单元段中的奇数个逻辑1比特为奇数奇偶性;
限定是偶数奇偶性为所述二进制标志的ON状态还是奇数奇偶性为所述二进制标志的ON状态;以及
通过将所述二进制标志中的所述比特中的一个从逻辑1写为逻辑0来改变所述二进制标志的所述奇偶性,以改变所述标志的所述状态。
2. 根据技术方案1所述的方法,其中将所述闪存单元段中的所述比特中的一个从逻辑1比特变为逻辑0比特包括进行逻辑左移。
3. 根据技术方案1所述的方法,其中将所述闪存单元段中的所述比特中的一个从逻辑1比特变为逻辑0比特包括进行逻辑右移。
4. 根据技术方案1所述的方法,其中限定包括预定数量的比特的闪存单元段包括限定所述闪存单元段在希望具有与初始标志状态相同的最终标志状态时包括偶数个比特并且在希望具有不同于所述初始标志状态的所述最终标志状态时包括奇数个比特。
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