[发明专利]一种原位自生Al4La晶须增强镁基复合材料及制备方法有效

专利信息
申请号: 201310414863.9 申请日: 2013-09-12
公开(公告)号: CN103469124A 公开(公告)日: 2013-12-25
发明(设计)人: 张密林;史红岩;冷哲;张景怀;江风春;王国伟 申请(专利权)人: 哈尔滨工程大学
主分类号: C22C49/04 分类号: C22C49/04;C22C49/14;C22C47/00
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 150001 黑龙江省哈尔滨市南岗区*** 国省代码: 黑龙江;23
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摘要:
搜索关键词: 一种 原位 自生 al sub la 增强 复合材料 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种原位自生Al4La晶须增强镁基复合材料,其特征是质量百分含量组成为Al:3.0~10.0%,La:3.0~12.0%,不可避免的Fe、Cu、Ni、Si杂质总量小于0.03%,余量为Mg。

2.根据权利要求1所述的原位自生Al4La晶须增强镁基复合材料,其特征是:Al和La的质量比选择为3:4。

3.根据权利要求1或2所述的原位自生Al4La晶须增强镁基复合材料,其特征是:还包括不超过10.0%的Li。

4.根据权利要求1或2所述的原位自生Al4La晶须增强镁基复合材料,其特征是:所述La元素以Mg-30%La中间合金的方式加入。

5.根据权利要求3所述的原位自生Al4La晶须增强镁基复合材料,其特征是:所述La元素以Mg-30%La中间合金的方式加入。

6.一种原位自生Al4La晶须增强镁基复合材料的制备方法,其特征是:按照质量百分含量组成为Al:3.0~10.0%、La:3.0~12.0%,余量为Mg的比例将合金元素混合,合金元素熔炼后保温静置,冷却,再经高温匀质化处理后得到原位自生Al4La晶须增强镁基复合材料。

7.根据权利要求6所述的原位自生Al4La晶须增强镁基复合材料的制备方法,其特征是:所述的Mg以商业纯Mg、Al以商业纯Al、La以Mg-30%La中间合金的形式加入。

8.根据权利要求6或7所述的原位自生Al4La晶须增强镁基复合材料的制备方法,其特征是:所述熔炼是采用真空感应熔炼炉熔炼,用氩气进行保护;主要熔炼工艺参数:熔炼过程中采用逐渐升高功率的方法进行加热,真空度5Pa以下,保温静置时间为30~50min,冷却速度3-10℃/s。

9.根据权利要求6或7所述的原位自生Al4La晶须增强镁基复合材料的制备方法,其特征是:所述高温匀质化处理的工艺参数:均匀化温度为300~450℃,保温时间为5~15h,冷却方式为空冷。

10.根据权利要求8所述的原位自生Al4La晶须增强镁基复合材料的制备方法,其特征是:所述高温匀质化处理的工艺参数:均匀化温度为300~450℃,保温时间为5~15h,冷却方式为空冷。

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