[发明专利]一种ITO粗化的蒸镀方法无效
申请号: | 201310414877.0 | 申请日: | 2013-09-12 |
公开(公告)号: | CN103451605A | 公开(公告)日: | 2013-12-18 |
发明(设计)人: | 郁彬 | 申请(专利权)人: | 昆山奥德鲁自动化技术有限公司 |
主分类号: | C23C14/30 | 分类号: | C23C14/30;C23C14/08;C23C14/02 |
代理公司: | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人: | 柏尚春 |
地址: | 215300 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 ito 方法 | ||
1.一种ITO粗化的蒸镀方法,其特征在于包括以下步骤:
(1)将浓硫酸和双氧水按照2:1进行混合,同时将混酸降温至100℃;
(2)将外延片用提篮在混酸中进行充分清洗10min后,用清水进行冲洗,去除残留的化学物质;
(3)将清洗后的外延片固定于镀锅后,进行E-Beam轰击ITO靶材,进行ITO蒸镀;
(4)ITO蒸镀的厚度为900A,采用分步蒸镀的方式进行蒸镀;
(5)ITO蒸镀后按照正常LED芯片流程进行作业,直至芯粒以方片入库。
2.根据权利要求1所述的一种ITO粗化的蒸镀方法,其特征在于:所述步骤(4)中分步蒸镀的方式为:初始阶段300A,镀率为0.5A/S,氧流量为10sccm,中间阶段300A,镀率为1A/S,氧流量为10sccm,最后阶段镀率为3A/S,氧流量为20sccm。
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