[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其包括：

第一半导体芯片及第二半导体芯片，所述第一半导体芯片与所述第二半导体芯片彼此凸块接合，并且所述第一半导体芯片与所述第二半导体芯片之间的间隙被从所述第一半导体芯片的与所述第二半导体芯片接合的表面上的指定位置注入的树脂密封，以使得通过凸块接合所形成的凸块间空隙被所述树脂填充；以及

多个凹凸部，其形成于所述第一半导体芯片的与所述第二半导体芯片接合的所述表面侧上并具有突出部，所述突出部跨过所述多个凹凸部中的形成于所述第一半导体芯片与所述第二半导体芯片之间的接合区域的周围部分中的凸部之中的至少一个凸部。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其中，

所述多个凹凸部的纵向是与从所述指定位置注入的所述树脂在所述第一半导体芯片上的前进方向平行的方向，以及

当从所述树脂的所述注入位置观察时，所述突出部在所述第一半导体芯片上形成于与所述第二半导体芯片的所述接合区域的两个侧表面侧的区域上。

3.如权利要求1所述的半导体装置，其中，

所述多个凹凸部的纵向是与从所述指定位置注入的所述树脂在所述第一半导体芯片上的前进方向相交的方向，以及

当从所述树脂的所述注入位置观察时，所述突出部在所述第一半导体芯片上形成于与所述第二半导体芯片的所述接合区域的背面侧的区域上。

4.如权利要求1或3所述的半导体装置，其中，

所述多个凹凸部的纵向是与从所述指定位置注入的所述树脂在所述第一半导体芯片上的前进方向相交的方向，以及

当从所述树脂的所述注入位置观察时，所述突出部在所述第一半导体芯片上形成于与所述第二半导体芯片接合的所述接合区域的正面侧的区域上。

5.如权利要求1～3中的任一项所述的半导体装置，其中，所述多个凹凸部是随着布线的形成而设置的。

6.如权利要求1～3中的任一项所述的半导体装置，其中，

所述突出部包含环氧树脂、聚酰亚胺、聚酰胺、丙烯酸、Al、P、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Ga、Ge、Ag、Cd、In、Sn、Sb、Au、Pb及Bi之任一者。

7.如权利要求1～3中的任一项所述的半导体装置，其中，所述突出部的高度为0.1μm～3μm，且所述凸部的高度为15μm～25μm。

8.如权利要求1～3中的任一项所述的半导体装置，其中，所述突出部的一部分切入所述第一半导体芯片与所述第二半导体芯片之间的所述接合区域的内部。

9.一种制造半导体装置的方法，其包括：

在第一半导体芯片上形成突出部，所述第一半导体芯片的与第二半导体芯片接合的表面侧上形成有多个凹凸部以及用于凸块接合所述第二半导体芯片的凸块，所述突出部跨过所述凹凸部中的形成于所述第一半导体芯片与所述第二半导体芯片之间的接合区域的周围部分中的凸部之中的至少一个凸部；

将所述第一半导体芯片与所述第二半导体芯片凸块接合在一起；以及

通过从所述第一半导体芯片的与所述第二半导体芯片接合的所述表面上的指定位置注入树脂，并且用所述树脂填充在所述凸块接合步骤随着所述凸块接合而形成的凸块间空隙，从而密封所述第一半导体芯片与所述第二半导体芯片之间的间隙。