[发明专利]一种静电吸盘加工的工艺方法在审
| 申请号： | 201310415351.4 | 申请日： | 2013-09-12 |
| 公开（公告）号： | CN103794539A | 公开（公告）日： | 2014-05-14 |
| 发明（设计）人： | 赵官源 | 申请（专利权）人： | 北京中科信电子装备有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683 |
| 代理公司： | 长沙正奇专利事务所有限责任公司 43113 | 代理人： | 马强 |
| 地址： | 101111 北京市通*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 静电 吸盘 加工 工艺 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种静电吸盘加工的工艺方法，其特征在于：薄陶瓷盘(1)、导电层(2)、电极盘(3)、特氟龙涂层(4)、基底陶瓷盘(5)、金属底座(6)。
2.如权利要求1所述的一种静电吸盘加工的工艺方法，其特征在于：在薄陶瓷盘(1)的一个平面上采用物理气相沉积的方法生成一层导电层(2)。
3.如权利要求1和2所述的一种静电吸盘加工的工艺方法，其特征在于：将导电层(2)采用蚀刻的方法生成六个相区，称为电极盘(3)。
4.如权利要求1和3所述的一种静电吸盘加工的工艺方法，其特征在于：将电极(3)和基底陶瓷盘(5)采用特氟龙涂层(4)粘接。
5.如权利要求1和4所述的一种静电吸盘加工的工艺方法，其特征在于：将粘合在一起的薄陶瓷盘(1)、导电层(2)、电极盘(3)、特氟龙涂层(4)、基底陶瓷盘(5)采用一种粘合剂与金属底盘(6)粘接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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